EEHQU
集成电路设计与分析实验B(六)
基本差分对设计
华侨大学电子工程系(The Department of Electronic Engineering Huaqiao University)3
华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室
一、参数估算
1.根据共模输入范围
和输出摆幅的要求,各个 MOS 管的过驱动电压并估算偏置电
压 VB 和输出 Vout(也即 VA)的静态值,电路如图 1 所示,
min 1 3 1
1.2
inCM GSN B TN on B
V V V V V V
B 1 N3
0.2 , 1.0 0.8, 0.6 , 0.8 0.54 0.26
onP on
V V V V V V V
onN1 B
可以取VV取 即
max 1 2 1 2 1 2
| | 2.5
inCM A TN GSP TN onP TN TP
V V V VDD V V VDD V V V
即
2
3.3 2.5 0.54 0.75 0.59
onP
V
指标要求最大共模输入电压,输出摆幅要求大于 1V
min max 1
2.5 0.54 2.06
out inCM Tn
V V V
故
,由此可得
2 max
3.3 3.06 0.24
onP out
V VDD V
该值要和通过共模输入范围要求得到的
2
3.3 2.5 0.54 0.75 0.59
onP
V
求交集,
取
,于是估算输出点的静态电压
22
3.3 ( | |) 3.3 (0.2 0.75) 2.35
out A onP TP
V V V V
2.确定输入的静态共模电平值。一般选取
min max
( )/2 1.85
inCM inCM inCM
V V V
于是可以估算输出的静态电压
11
1.85 1.85 0.2 0.54 1.1
C onN Tn
V V V
3.验证增益
和
是否满足设计要求:
若取 L=1um,查表 1.2 可知,此时 NMOS 的
,PMOS
1 1 1
1
22
( || ) 66.7 36
0.2(0.03 0.12)
DM mN ON OP
ON
A g r r dB
V
n1 p1
( + )