二极管和晶体管的基本结构与工作原理

二极管的极间电容-二极管和三极管 二极管的极间电容是指二极管的两极之间的电容，包括势垒电容（CB）和扩散电容（CD）。势垒电容是指势垒区中的电容，势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容。扩散电容是指P区和N区之间的电容，为了形成正向电流，注入P区的少子（电子）在P区有浓度差，越靠近PN结浓度越大，即在P区有电子的积累。同理，在N区有空穴的积累。正向电流大，积累的电荷多。这样所产生的电容就是扩散电容CD。 二极管和三极管是半导体器件的基本结构，工作原理是基于PN结的基本原理。半导体器件是非线性的、参数有分散性，RC的值有误差，工程上允许一定的误差，学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。 半导体的导电特性是指半导体材料的导电能力，半导体材料可以分为三类：半导体、导体和绝缘体。半导体的导电能力介乎导体和绝缘体之间，硅、锗、硒、金属氧化物和硫化物等都是半导体材料。半导体的导电机理不同于导体和绝缘体，热敏电阻和光敏电阻也是半导体材料的特性。 本征半导体是完全纯净的、具有晶体结构的半导体，晶体中原子的排列方式形成共价键结构，形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，本征半导体中自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。 当温度升高或受到光的照射时，共价键中的电子可以挣脱原子核的束缚（激发），成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。本征激发产生电子空穴对，本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 二极管和三极管的基本结构、工作原理、特性和参数都是半导体器件的基本知识点，了解这些知识点对于学习和应用半导体器件非常重要。同时，半导体器件的导电特性、参数和技术指标也是非常重要的知识点，了解这些知识点可以帮助我们更好地应用半导体器件。