FDC6321C-VB场效应管：低阻值N/P沟道SOT23-6封装

FDC6321C-VB是一款高性能的双极性场效应晶体管（Trench FET Power MOSFET），特别适用于那些对低导通电阻（RDS(on））和高效率要求的应用。这款器件采用环保材料，符合IEC 61249-2-21标准，确保在无卤化物的生产过程中减少对环境的影响。 该器件采用SOT23-6封装，紧凑型设计便于集成到电路板上，其表面安装技术（Surface Mounted on FR4 board）使其适合于现代电子设计。它包括一个N+P沟道结构，每个通道都具有独特的特性： 1. N-Channel MOSFET: - 驱动电压范围：VDS最大值为+20V，最小值为-20V - 在VGS=10V时，RDS(on)为0.022Ω - 连续工作电流（TJ=150°C）下，TA=25°C时，ID最大值为5A；TA=70°C时，ID降为4.0A - 长时间脉冲电流（IDM）和连续源电流（IS）也提供了相应的规格 - 最大功率损耗（PD）在TA=25°C时为1.15W，在70°C时为0.73W 2. P-Channel MOSFET: - VDS最大值为-20V，最小值为-20V - 在VGS=-10V时，RDS(on)为0.030Ω，VGS=-4.5V时为0.079Ω - 对应的电流参数有所不同，例如TA=25°C时，ID最大值为-3.4A，70°C时为-2.3A 此外，FDC6321C-VB具有良好的热性能，其最大结温与环境温度差（RthJA）在不同条件下提供了一系列典型和最大值，如在1秒钟内，瞬态热阻为93°C/W至110°C/W，而稳态热阻可达130°C/W至150°C/W。 操作和存储温度范围宽广，从-55°C到150°C，适应各种应用场合的需求。值得注意的是，当进行高温测试时，如在5秒内，需要确保不超过5s的热冲击条件。 FDC6321C-VB场效应管以其低导通电阻、小型封装、环保特性和广泛的温度兼容性，是电力管理和开关控制应用的理想选择，特别是对于需要高效能和紧凑设计的电子设备。