英飞凌IPWS65R075CFD7A汽车级650V MOSFET芯片规格书

"IPWS65R075CFD7A INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf" 英飞凌的IPWS65R075CFD7A是一款基于650V CoolMOS™ CFD7A技术的汽车级功率MOSFET器件。这款芯片在2020年6月8日发布了最终的数据表，型号为PG-TO 247-3，具备内部体二极管功能。该MOSFET设计用于汽车行业的高电压应用，具有高质量和高可靠性的特点，同时也满足了汽车行业对这些属性的严格要求。 产品特性： 1. 集成快速体二极管：该器件内置了超低反向恢复电荷（Qrr）的体二极管，能提供更快的开关性能。 2. 最优的FOM（Figure of Merit）：具有最低的RDS(on)*Qg和RDS(on)*Eoss，这意味着在开启电阻与栅极电荷乘积以及开启电阻与封装电容乘积方面表现卓越，这有助于降低功耗并提高效率。 3. 100%雪崩测试：通过了全面的雪崩测试，确保了器件在过压条件下的安全性和稳定性。 4. 行业领先的RDS(on)：无论是在表面贴装设备（SMD）还是通孔插件（THD）封装中，其开启电阻都处于业界顶尖水平，这将有助于降低导通损耗。 带来的优势： 1. 优化适用于更高的电池电压：由于其增强了的耐受性，可以支持高达475V的电池电压，这在电动汽车和其他高电压应用中至关重要。 2. 减少开关损耗：更低的开关损耗使得该器件能在更高的开关频率下工作，从而提高系统的转换效率。 3. 顶级的RDS(on)性能：优秀的开启电阻意味着在相同的工作条件下，器件能够承受更小的电流损耗，提高系统效率。 4. 高可靠性：英飞凌的CoolMOS™ CFD7A系列在设计和制造过程中考虑了汽车应用的苛刻环境，确保了长期的稳定性和耐用性。 这款MOSFET适用于功率因数校正（PFC）和谐振开关拓扑，如零电压开关（ZVS）相移全桥和LLC谐振转换器。在这些应用中，IPWS65R075CFD7A能够实现高效、低损耗的电源转换，是汽车电子、工业控制和电力转换系统等领域的理想选择。