考研复试试题解析:模电与数电基础知识点概览
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更新于2024-08-26
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该文档主要针对考研过程中可能涉及的电子信息技术中的基础知识,特别是模电(模拟电子学)和数电(数字电子学)部分。首先,讨论了二极管的基本性质,包括PN结的单向导电性,正向导通和反向截止的特点,以及死区电压的概念,强调了硅管和锗管的不同点。稳压二极管在反向击穿状态下的工作原理被详述,它可以在给定电压下稳定输出。
接着,文档深入讲解了晶体管,即半导体三极管,它是电子电路的核心元件。介绍了三极管的构成,包括发射区、基区和集电区,以及发射结和集电结。三极管的关键参数如基极电流、发射极电流和集电极电流之间的关系,以及其电流和电压放大作用以及开关功能。三极管的工作状态——饱和、截止和放大区及其应用场合也被明确区分。
然后,三种基本放大电路——共发射极放大电路、共集电极放大电路和共基极放大电路的原理和特点被逐一介绍。提到晶体管在微变等效电路中的应用条件,即信号需在放大区且信号强度足够小。
文档还涉及到非线性失真的三种情况,分别是截止失真、饱和失真和双向失真,以及如何通过调整电路参数来解决这些问题。最后,射极输出器,或称为射极跟随器,作为低失真的放大电路,其特点被提及,即接近于1的电压放大倍数、高输入阻抗和低输出阻抗,以及阻抗变换的作用。
在模电和数电的学习中,理解这些基本概念和原理是至关重要的,它们构成了电子设备和系统设计的基础,对于研究生复试中可能会遇到的问题有着直接的指导意义。复习时,考生应熟练掌握这些知识点,并能灵活运用到实际问题中去。
2022-07-09 上传
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