Simulink中的忆阻器双端口建模与仿真

"基于Simulink的忆阻器模型 (2014年)，该模型建立在惠普实验室的忆阻器物理模型基础上，通过Simulink进行双端口建模，便于实现忆阻器的仿真，具有较宽的应用范围，对忆阻器研究有指导意义。" 忆阻器，作为一种具有记忆特性的无源非线性电子元件，由蔡少堂教授于1971年提出。2008年，惠普实验室成功制造出纳米级别的忆阻器物理模型，证实了其独特性质。在忆阻器的研究中，能够对其进行精确且便捷的仿真至关重要，这有助于理解其行为并将其与其他电子器件集成。 本论文聚焦于在Simulink环境下对忆阻器的建模。Simulink是MATLAB的一个扩展工具，用于动态系统建模和仿真。传统的忆阻器建模方法可能涉及编写M文件、构建图形用户界面或搭建输入输出模型，这些方法在某些情况下可能较为复杂或不灵活。而本文则采用两种方法在Simulink中实现忆阻器的双端口建模，这种方法的优势在于能直观地分析忆阻器的输入输出特性，同时提供了更广泛的适用场景。 双端口模型是忆阻器建模的一种有效方式，它考虑了忆阻器在两个不同端口上的电压和电流关系。这种模型不仅简化了仿真过程，还提高了仿真精度，使得研究人员能更好地理解和探索忆阻器的动态行为。此外，由于Simulink的可视化特性，用户可以直观地调整参数，观察模型响应，从而在设计和优化过程中节省时间和资源。 这篇论文由宋卫平、丁山传和宁爱平合作完成，他们来自太原科技大学电子信息工程学院。该研究得到了山西省教学改革基金的支持。论文中提及的doi:10.3969/j.issn.1673-2057.2014.01.005表明该研究成果已在学术期刊《太原科技大学学报》上发表，具有一定的学术价值和影响力。 这篇2014年的论文提供了一种利用Simulink进行忆阻器建模的新方法，对于进一步理解忆阻器的特性以及推动忆阻器在微电子、计算硬件等领域的应用具有积极的推动作用。这种方法降低了忆阻器仿真的复杂度，增强了研究的效率，为忆阻器技术的未来发展开辟了新的路径。