AP2329GN-HF-VB P-Channel MOSFET: 特性、应用与关键参数

"AP2329GN-HF-VB是一款由VBsemi制造的P-Channel沟道SOT23封装的MOSFET晶体管，适用于移动计算设备中的负载开关、笔记本适配器开关以及DC/DC转换器等应用。这款MOSFET采用TrenchFET®技术，确保了高效能和低电阻特性。" 详细说明: AP2329GN-HF-VB是一款P-Channel MOSFET，设计为低压应用，具有-30V的额定漏源电压(VDS)和在不同栅极电压下的低导通电阻(RDS(on))。当VGS为-10V时，RDS(on)典型值为47mΩ，随着VGS降低，RDS(on)略有增加，例如在VGS为-6V时为49mΩ，而在VGS为-4.5V时为54mΩ。这表明该MOSFET在低电压下仍能保持良好的开关性能，适用于需要低功耗和高效能的电路。 该器件的最大连续漏极电流(ID)在25°C时为-5.6A，但随着温度升高，电流会有所下降。例如，在70°C时，ID最大值减至-4.3A。此外，瞬态脉冲漏极电流(IDM)在100微秒脉宽下可达-18A，显示其在短时间内的高电流处理能力。 MOSFET的栅极电荷(Qg)典型值为11.4nC，这个参数对于开关速度和功耗有直接影响。较小的Qg意味着更快的开关速度和更低的开关损耗。 在热特性方面，AP2329GN-HF-VB的绝对最大额定功率耗散(PD)在25°C时为2.5W，但随温度升高而降低。结温范围从-55°C到150°C，确保了在各种环境温度下的稳定性。此外，器件具有一定的热阻性能，包括焊盘到环境的热阻(RθJA)，其典型值和最大值取决于安装条件。 AP2329GN-HF-VB是一款适用于轻负载开关和电源管理应用的高性能P-Channel MOSFET，其紧凑的SOT23封装使其适合于空间有限的电子设计，而其低RDS(on)和高效的TrenchFET®技术则保证了低功耗和高效运行。这款MOSFET特别适用于笔记本电脑、手机等移动设备的电源管理和转换需求。