镁光SLC NAND Flash技术规格书：128G-256G

"镁光的FLASH DATA SHEET涵盖了128G、32G和其它容量的NAND Flash存储器，如MT29F32G08ABAAA和MT29F64G08AECAB等，支持ONFI 2.2接口标准，采用SLC（单层单元）技术，具有高性能和多种操作模式。" 镁光的NAND Flash Memory产品系列包括MT29F32G08ABAAA、MT29F64G08AFAAA等多个型号，这些设备广泛应用于数据存储解决方案。它们基于SLC技术，这是一种较为成熟且可靠的非易失性存储技术，相比多层单元（MLC或TLC）技术，SLC提供了更高的读写速度和更长的耐用性。 产品的主要特点如下： 1. **开放NAND Flash接口(ONFI)2.2兼容**：这意味着这些设备遵循ONFI标准，确保与各种控制器和平台的兼容性，简化了设计和集成过程。 2. **页面和块组织结构**：每个8位页面大小为8640字节，其中8192字节是用户数据区域，448字节用于ecc和其他控制信息。每个块包含128个页面，每个块的大小为1024K+56K字节。根据不同的设备容量，有2048到16,384个块，每平面2个。 3. **同步和异步I/O性能**：支持同步和异步模式，同步模式下时钟速率为10ns（DDR），读写带宽可达200MT/s；异步模式下，最高速度可至50MT/s，tRC/tWC最小为20ns。 4. **阵列性能**：快速的读取和编程速度，读取页面只需35µs（最大值），编程页面350µs（典型值），擦除整个块约1.5ms（典型值）。 5. **操作电压范围**：主电源VCC为2.7V至3.6V，I/O电源VCCQ支持1.7V至1.95V或2.7V至3.6V，确保在宽电压范围内稳定工作。 6. **命令集**：采用ONFI NAND Flash协议，并提供高级命令集，如程序缓存、顺序读取缓存、随机读取缓存、一次性编程(OTP)模式、多平面命令以及多LUN操作，增加了功能性和灵活性。 这些特性使得镁光的NAND Flash Memory适用于高性能、高可靠性需求的应用，如服务器、数据中心、固态硬盘(SSD)、嵌入式系统以及移动设备的数据存储。其高效的I/O性能和先进的功能集为设计者提供了优化存储解决方案的工具。