SPD04P10PG-VB：P沟道100V MOSFET for Power Switching Applications

"SPD04P10PG-VB是一种P沟道的TO252封装MOSFET，适用于电源开关和DC/DC转换器等应用。它是一款符合RoHS标准的无卤素器件，采用TrenchFET技术，具有100V的额定 Drain-Source 电压，低RDS(on)特性，并通过了100%的Rg和UIS测试。在不同条件下的最大连续和脉冲 Drain 电流以及最大功率损耗都有明确的规格限制。此外，该器件还提供了良好的热性能，如结壳热阻RthJA。" SPD04P10PG-VB是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用先进的TrenchFET技术制造，这种技术允许在芯片上构建更精细的沟槽结构，从而降低导通电阻，提高效率。其主要特点包括： 1. **无卤素**：根据IEC61249-2-21定义，该MOSFET不含卤素，符合环保要求，满足RoHS指令2002/95/EC。 2. **TrenchFET Power MOSFET**：这种技术使得MOSFET在小尺寸封装下能提供更好的性能，如更低的导通电阻，提高了整体电路的效率。 3. **100V工作电压**：能够承受最高100V的 Drain-Source 电压，适合高电压应用。 4. **低RDS(on)**：在VGS=-10V时，RDS(on)仅为0.250Ω，这表明在开启状态下，MOSFET的导通电阻极低，可实现高效开关操作。 5. **全面测试**：100%的Rg和UIS测试确保了器件的可靠性和稳定性。 6. **应用广泛**：适用于电源开关和DC/DC转换器，可以用于电源管理和控制电路中。 7. **绝对最大额定值**：包括-100V的Drain-Source电压，±20V的Gate-Source电压，以及在不同温度下的最大连续和脉冲Drain电流。 8. **热性能**：器件具备良好的热特性，如结壳热阻RthJA为50°C/W，这意味着在特定PCB条件下，每增加1W的功率，结温将上升50°C。 9. **安全操作区(SOA)**：器件的SOA曲线提供了电压降额的信息，以确保在安全范围内操作。 10. **温度范围**：可在-55到150°C的温度范围内正常工作和存储。 SPD04P10PG-VB是一款设计精良、性能出色的P沟道MOSFET，适用于需要高效、稳定和环保的电源管理解决方案。其低RDS(on)、高耐压和良好的热管理特性使其成为各种电子设备的理想选择。