MOCVD生长的高质量Si掺杂Al0.49Ga0.51N在AlN/AlGaN超晶格上的研究

在"High quality Si doped Al0.49Ga0.51N grown on AlN/AlGaN superlattice with MOCVD"这篇首发论文中，作者李洋、陈圣昌等人，来自华中科技大学和武汉国家光电实验室，探讨了一种创新的生长方法。他们利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术，在AlN/AlGaN超晶格结构中实现了高质量的硅(Si)掺杂Al0.49Ga0.51N材料的生长。这种材料的厚度达到了1.5微米，其性能的关键在于引入了20个周期的AlN/Al0.4Ga0.6N超晶格作为缓冲层，目的是缓解位错和提高晶体结构的稳定性。 论文的核心研究内容集中在通过优化的超晶格设计来减小应变，确保材料的高结晶质量。实验结果显示，(0002)面的X射线衍射 rocking curve 的半高宽仅为295弧秒，这一数值体现了极高的结晶纯度。此外，研究者还通过(10-15)倒易空间映射进一步评估了材料的晶体缺陷情况，以确保高质量的晶体生长。 这项工作对于III-V族半导体材料和光电子器件的研究具有重要意义，因为它提供了一种有效的方法来控制杂质掺杂以及改善这些高性能材料的性能。作者李洋作为博士研究生，主要研究领域集中在AlGaN基材料和光电子器件上，而吴志浩教授作为通讯作者，他的研究重点在于III-Ⅴ半导体材料及其应用，电子邮箱为zhihao.wu@mail.hust.edu.cn。 这篇论文展示了在现代半导体技术背景下，如何通过精细的材料设计和生长技术来提升Si掺杂Al0.49Ga0.51N的性能，这对于推动高性能半导体器件的发展具有实际价值。