AM4960N-T1-PF-VB：SOP8封装双N-Channel 60V MOSFET详细规格

"AM4960N-T1-PF-VB是一款由VB Semiconductor推出的双通道N-Channel MOSFET，采用SOP8封装，适用于电源管理、开关应用等。其主要特点是采用TrenchFET技术，具有低RDS(ON)，高电流能力，并通过了100%的Rg和UIS测试，确保了产品的可靠性和性能稳定性。" AM4960N-T1-PF-VB是VB Semiconductor设计的一款高性能双通道N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。这款器件的主要特性包括60V的额定漏源电压（VDS）、6A的连续漏极电流（ID）以及在10V栅极电压（VGS）下的RDS(ON)为27毫欧，这表明它在低电阻操作下具有良好的导通效率，适合需要低损耗和高效率的应用场景。 MOSFET的TrenchFET技术是其核心优势之一，这种技术通过在晶体管的沟道区域挖出精细的沟槽，减小了沟道的电阻，从而降低了RDS(ON)，提高了开关速度和能效。此外，该器件还进行了100%的Rg（栅极电阻）和UIS（雪崩能量承受能力）测试，确保了在极端条件下的稳定性和安全性。 参数方面，AM4960N-T1-PF-VB的栅极源电压（GS）允许的最大值为正负20V，确保了宽泛的工作范围。在环境温度为25°C时，每通道的连续源电流（ID）可达到7A，而在125°C时则降为4A，这是考虑到了随着温度升高，器件的热耗散能力下降。另外，单脉冲脉冲宽度小于300微秒、占空比不超过2%的情况下，最大脉冲漏极电流（IDM）为28A。 对于保护和安全设计，AM4960N-T1-PF-VB的最大单脉冲雪崩电流（IAS）为18A，而单脉冲雪崩能量（EAS）限制在16.2毫焦耳，这防止了因过电流引起的内部损坏。器件的最大结温（TJ）为175°C，最大功率耗散（PD）在25°C时为4W，在125°C时降至1.3W，确保了器件不会过热。 热性能方面，器件的结到环境的热阻（RthJA）是衡量其散热性能的关键指标，具体数值未给出，但通常越低越好，因为它直接影响到器件在高功率工作下的温度上升。 AM4960N-T1-PF-VB是一款适用于需要高效、低损耗、双通道控制的电源管理或开关应用的MOSFET，尤其在要求低RDS(ON)和高电流处理能力的场合，如DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等。其紧凑的SOP8封装也便于在电路板上布局。