模拟电子技术基础第五版：半导体器件与稳压电路详解

模拟电子技术基础第五版由华成英编著，本书旨在为学生提供深入理解模拟电路原理和技术的基础知识。以下是章节中的关键知识点总结： 1. **半导体器件**: - 在N型半导体中，掺入适量的三价元素可以将其改型为P型半导体，这是正确的。 - N型半导体的多子（多数载流子）是自由电子，但并不意味着它整体带负电，因为多子带负电仅是因为电子带负电。 - PN结在无光照和外加电压时，由于内部势垒的作用，结电流确实为零。 - 晶体管在放大状态时，集电极电流主要由少子（空穴）漂移形成，而非多子。 2. **场效应管**: - 结型场效应管的栅-源电压施加反向电压，是为了增强栅极对耗尽层的控制，确保其高输入电阻特性。 - 耗尽型N沟道MOS管的UGS（栅-源电压）大于零时，输入电阻通常不会变小，而是保持较高。 3. **二极管与稳压管**: - PN结加正向电压时，空间电荷区会变窄，有利于电流通过。 - 二极管的电流方程在温度和饱和区有所不同，但一般情况下，不是简单的线性关系。 - 稳压管在反向击穿区域工作，提供稳定的电压输出。 4. **晶体管工作状态**: - 当晶体管工作在放大区时，发射结应正偏，集电结应反偏，以实现电流放大。 5. **场效应管类型**: - UGS=0V时，结型管和增强型MOS管可以在恒流区工作，而耗尽型MOS管则需适当偏置。 6. **具体电路分析**: - 提供了几个电路问题，涉及计算输出电压、稳压管应用以及晶体管放大电路的分析，如二极管导通电压、稳压管稳压值的应用以及电路中电压的计算。 7. **BJT放大器分析**: - 对于图T1.5所示的共射放大电路，通过计算得出Rb=50kΩ时，基极电流、集电极电流及输出电压UO，同时讨论了晶体管临界饱和条件下的Rb值。 通过学习这些知识点，学生能够掌握半导体器件的工作原理、场效应管的特性、基本电路的分析方法，以及如何运用这些知识设计和理解实际的模拟电子电路。这门课程对于电子工程专业的学生来说，是理解和掌握电子设备基础理论的关键。