"M14D5121632A是来自Elite Semiconductor Memory Technology Inc. (ESMT)的一款DDRII SDRAM芯片,发布于2009年2月,版本为1.1。这款内存芯片具有JEDEC标准,工作电压为1.8V±0.1V,采用内部管道双数据率架构,每时钟周期可进行两次数据访问。它还具备双向差分数据 strobe (DQS) 和/DQS,支持单端数据 strobe 操作。"
DDRII SDRAM(Double Data Rate Type II Synchronous Dynamic Random-Access Memory)是一种先进的动态随机存取存储器,其设计目标是提高内存性能,通过在时钟的上升沿和下降沿同时传输数据来实现。M14D5121632A拥有四个内部银行,这允许并行处理多个请求,从而提高了数据存取速度。
该芯片包含一个片上延迟锁相环(DLL),用于同步DQ和DQS信号与时钟信号CLK的转换。DLL的使用有助于确保数据和数据 strobe 的精确对齐,以优化读写操作的时序。此外,该芯片支持多种CAS(Column Address Strobe)延迟:3、4、5、6,以及附加延迟:0、1、2、3、4,这些选项提供了灵活性,以适应不同系统的需求。
M14D5121632A支持顺序和交错的突发模式(Burst Type),突发长度可以是4或8,这意味着连续的数据访问可以在多个时钟周期内高效地完成。所有输入(除了数据和DM)在系统时钟CLK的上升沿采样,而数据I/O则在DQS的两个边缘都进行转换。DQS在读操作时与数据边沿对齐,而在写操作时居中对齐,这样可以精确控制数据传输。此外,该芯片还包括数据掩码(DM)功能,仅用于写操作的掩蔽。
为了优化信号质量,M14D5121632A具有片上驱动器(Off-Chip-Driver, OCD)阻抗调整和片上终止(On-Die-Termination, ODT),并且支持50/75/150欧姆的ODT配置。它还具备高温自刷新率启用功能,以适应各种工作环境。自动和自刷新功能保证了在系统不活动时内存数据的保持和刷新,以防止数据丢失。
ESMT的M14D5121632A是一款高性能、高密度的DDR2 SDRAM,适用于需要高速、低电压和高可靠性的应用,如个人电脑、服务器、工作站和其他嵌入式系统。它的特性集包括了先进的信号完整性技术、灵活的延迟设置和电源管理功能,以满足现代计算平台的需求。