AO3405A-VB: 30V SOT23 P-Channel MOSFET with High-Current & Low-R...

本文档介绍的是AO3405A-VB型号的SOT23封装P-Channel场效应MOS管，它属于TrenchFET® Power MOSFET系列，具有高性能和可靠性。这款MOSFET的主要特点包括： 1. 封装类型：采用SOT-23封装，这是一种小型化的表面贴装封装，适用于移动计算、负载开关、笔记本适配器开关以及DC/DC转换器等应用。 2. 技术规格： - 驱动电压范围：最大VDS（ Drain-Source Voltage）为-30V，保证了在-10V VGS（Gate-Source Voltage）下的典型RDS(on)为0.046 Ω，随着VGS减小，RDS(on)值也会相应增大。 - ID（Drain Current）在连续工作条件下，最大值为-5.6 A，在不同VGS条件下，例如-10V时为-5.6 A，-6V时为-4.9 A，-4.5V时为-5.4 A。 - 电荷量Qg（Gate Charge）在典型情况下，-10V VGS下的Qg为11.4 nC，其他条件下的Qg数值也在文中列出。 - 电源限制：最大连续源极-漏极二极管电流(IS)在25°C下为-2.1 A，脉冲状态下，短时间峰值电流(IDM)为-18 A。 - 功耗：在25°C时，最大功率损耗PD为2.5 W，当温度升高到70°C时，功率损耗会降低。 3. 温度参数： - 操作和储存温度范围：从-55°C到150°C，保证了良好的热稳定性。 - 热阻特性：文档中还列出了不同温度下的热阻参数，如在25°C时，从Drain到环境的热阻典型值。 4. 测试标准：所有器件都经过了100% Rg（ Gate Resistance）测试，确保了产品质量的一致性和性能的可靠性。 AO3405A-VB SOT23封装P-Channel场效应MOS管是一款专为移动设备设计的高效开关元件，适合于低电压、大电流应用，并且具有严格的温度管理和热管理特性。在选择和使用该MOSFET时，务必注意其操作条件限制和温度范围，以确保系统的稳定和安全性。