室温三配体工程提升钙钛矿QLED性能：实现11.6% EQE

"这篇研究论文探讨了通过室温三配体表面工程来改善钙钛矿型量子点发光二极管（QLED）的性能。该技术成功地提升了墨水的稳定性，优化了复合动力学，并增强了电荷注入，从而实现了高达11.6%的外部量子效率（EQE）。" 在钙钛矿型QLED领域，提升器件性能是关键的挑战之一。本文介绍了一种新的策略，即在室温下进行三配体表面工程，这一方法对提升QLED的性能具有显著效果。传统的钙钛矿量子点制备过程中，可能会遇到稳定性差、复合动力学不理想以及电荷注入效率低等问题，这直接影响到器件的发光效率和寿命。 研究表明，通过精心设计的三配体表面改性，可以有效增强墨水的稳定性，这意味着量子点在溶液中的分散性和长期存储性能得到改善。这对于大规模生产和器件制备至关重要，因为稳定的墨水可以确保均匀的薄膜形成和一致的器件性能。 此外，优化的复合动力学有助于提高光子的产生效率。在QLED中，电子和空穴的有效复合是产生光发射的关键步骤。通过调整三配体的结构和比例，可以控制复合速率，减少非辐射复合损失，从而提高器件的发光效率。 电荷注入能力的增强是另一个重要突破。高效的电荷注入可以降低注入势垒，使得电子和空穴更容易进入发光层，促进复合并增加发光强度。通过表面工程，研究人员能够改善钙钛矿量子点与电极之间的接触，从而提高器件的整体电流效率。 论文还指出，这项技术已应用于不同颜色的QLED，包括蓝色、绿色和红色，且已经满足了实际应用的要求。这表明，三配体表面工程不仅适用于特定颜色的设备，而且具有广泛的适用性，对于整个钙钛矿QLED技术的发展具有重要意义。 虽然镉基量子点（Cd-based QDs）在过去的器件中表现出色，但其复杂的合成过程和环境问题限制了它们的应用。相比之下，钙钛矿材料因其易于合成、高效率和低成本等优点，成为了研究的热点。本研究提出的室温三配体表面工程策略，为解决钙钛矿QLED的稳定性和效率问题提供了新的思路，对于推动钙钛矿量子点在显示技术领域的商业化进程具有重大意义。