GaN脉冲功放驱动电路：T/R组件小型化的关键

本文档深入探讨了T/R组件中功放脉冲调制电路的分析与设计，主要关注于在相控阵雷达中广泛应用的GaN（氮化镓）脉冲功率放大器。GaN由于其高效率和高温稳定性，成为现代雷达系统中理想的器件选择。作者赵瑞华、王振亚和刘文豹来自中国电子科技集团第十三研究所，他们提出了一个创新的高压漏极脉冲调制电路。 该电路的核心部分包括高集成度的PMOS驱动器，这是一种用于控制电力电子设备开关的半导体元件，它能有效地将输入的TTL（晶体管-晶体管逻辑）信号转化为强大的输出脉冲信号。电路中还包括高压PMOS管SM6103，这是一种能够承受较高电压和电流的开关元件，确保了电路在高压工作环境下的稳定性和可靠性。 设计的关键特性是快速放电通道，这有助于减小脉冲信号的上升沿和下降沿时间，分别小于40ns和50ns，这在对信号传输速度有严格要求的雷达系统中具有重要意义。此外，电路还展示了出色的电压过冲控制，输出电压过冲小于20%，这意味着输出信号的稳定性得到了保障。 电路的另一个亮点是其小型化设计，通过采用裸芯片技术和铝丝键合工艺，不仅降低了电路尺寸，还提高了整体的集成度和制造效率。这对于T/R组件的体积缩小和重量减轻至关重要，对于实现相控阵雷达系统的便携性和高集成度有着显著贡献。 总结来说，这篇论文详细介绍了如何通过优化脉冲调制电路设计来提升GaN功率放大器在T/R组件中的性能，特别是在小型化和高速响应方面。这项技术的进步对于提升相控阵雷达的整体性能和适应未来雷达系统的发展趋势具有重要的实际价值。