HFSS微波仿真教程:场分布图与S参数相位曲线创建
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更新于2024-08-10
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"华为分布式存储白皮书-创建场分布图及HFSS教程"
本文主要介绍了如何在HFSS(High Frequency Structure Simulator)软件中创建端口S参数相位曲线和场分布图,这对于微波和射频领域的仿真设计至关重要。HFSS是一款强大的三维电磁场仿真工具,广泛应用于天线、微波组件以及射频系统的设计。
一、创建端口S参数相位曲线(Phase)
1. 在HFSS界面,选择"Result>Create Report"下拉菜单。
2. 在弹出的"Create Report"窗口中:
- Report Type选择"Terminal S Parameters",表示我们要创建端口S参数报告。
- Display Type选择"Rectangle",意味着我们将以矩形图表的形式展示结果。
- 点击"OK"按钮确认设置。
3. 在"Traces"窗口中:
- 选择Solution为"Setup1:Sweep1",指定要使用的求解器设置和扫频数据。
- Domain设置为"Sweep",表示我们关注的是频率扫描域。
- 在Y选项卡中,进行以下配置:
- Category选择"Terminal S Parameter",表示端口S参数。
- Quantity分别设置为"St(p1,p1)"和"St(p1, p2)",这意味着我们将查看端口p1到p1和p1到p2的S参数。
- Function选择"ang_deg",意味着我们想要以角度单位(度)显示相位。
- 点击"Add Trace"按钮添加这些轨迹,然后点击"Done"完成设置。
二、创建场分布图
1. 创建场图:
- 在模型树(Model Tree)管理窗口中,打开"Planes",选中全局坐标系的YZ平面。
- 通过"HFSS>Fields>Plot Fields> Mag_E"菜单选择绘制磁场强度E分量。
- 在"Create Field Plot"窗口中:
- Solution项设置为"Setup1: LastAdaptive",表示使用最后的自适应求解结果。
这个过程展示了如何利用HFSS进行微波组件的性能分析,包括通过S参数相位曲线了解组件的传输特性,并通过场分布图可视化其内部电磁场的行为。这对于设计和优化微波和射频设备的性能至关重要。
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2021-09-29 上传
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