英飞凌IPD052N10NF2S MOSFET芯片中文规格书

"IPD052N10NF2S INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf" 英飞凌的IPD052N10NF2S是一款高性能的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专门设计用于广泛的电子应用。这款芯片具有以下主要特点： 1. **优化应用范围**：该器件适用于各种不同的应用领域，展示出其高度的通用性。 2. **正常电平N通道**：N沟道MOSFET在栅极电压低于源极电压时导通，适合于低电压驱动的应用。 3. **通过100%雪崩测试**：这意味着该芯片能够承受高电流瞬态，保证了其在过载条件下的可靠性。 4. **无铅镀层，符合RoHS标准**：产品不含铅，符合欧盟的环保要求，对环境友好。 5. **符合卤素要求**：根据IEC61249-2-21标准，该芯片是卤素免费的，进一步增强了其环保特性。 关键性能参数包括： - **最大漏-源电压 (VDS)**：100V，这是MOSFET可以承受的最大电压差。 - **最大开启电阻 (RDS(on),max)**：5.2毫欧，这是MOSFET在导通状态下，漏极到源极之间的电阻，越低意味着传导电流的能力越强。 - **饱和导通电流 (ID)**：118A，表示在特定条件下MOSFET能安全通过的最大连续电流。 - **总栅极电荷 (Qoss)**：67纳库仑，这个参数影响开关速度，较小的Qoss意味着更快的开关时间。 - **总栅极电荷 (QG)**：51纳库仑，代表从关闭到完全打开所需的电荷，也影响开关性能。 此规格书还包含了其他重要的信息，如： - **最大额定值**：在25℃环境温度下，芯片可以承受的最大工作条件。 - **热特性**：描述芯片如何处理和散发产生的热量。 - **电气特性**：详细的电流、电压和电阻参数，以及它们在不同条件下的表现。 - **电气特性图**：图表形式展示了这些特性的变化。 - **封装轮廓**：提供芯片物理封装的尺寸和引脚布局信息。 - **修订历史**：记录了规格书的修改和更新。 - **商标和免责声明**：明确了相关知识产权和使用条款。 IPD052N10NF2S是一款高性能、环保且可靠的功率MOSFET，适用于需要高效能开关和电流驱动的电路设计中。设计师可以根据规格书中提供的详细信息，评估该芯片是否适合他们的应用需求。