AOD482-VB：100V N沟道TrenchFET MOSFET技术规格

"AOD482-VB是一种N沟道的TrenchFET功率MOSFET，采用TO252封装，具有低热阻、高结温等特性。这款MOSFET的主要特点包括175°C的结温、低漏源导通电阻以及TrenchFET技术。其主要规格包括100V的击穿电压（V(BR)DSS）、0.030Ω的漏源导通电阻（rDS(on)）在VGS=10V时，以及在VGS=4.5V时的阈值电压。此外，它在25°C时的连续漏极电流ID为40A，在125°C时ID降至23A。" AOD482-VB MOSFET是电子工程中常见的功率开关元件，用于控制电流流过电路。N沟道MOSFET在导通时需要一个正向栅极电压（VGS），这使得N沟道中的电子能够流动，从而允许电流通过。TrenchFET技术是一种先进的MOSFET制造工艺，它使用沟槽结构来增加半导体表面的电荷载体通道，从而降低电阻并提高开关性能。这种技术使得AOD482-VB在保持低漏源导通电阻的同时，还能承受较高的工作温度，确保了器件在高温环境下的稳定工作。 该器件的最大额定值包括100V的源漏电压VDS，这意味着MOSFET可以在不损坏的情况下承受的最大电压。门极源极电压VGS的最大值为±20V，确保了安全的操作范围。对于连续漏极电流，当结温TJ为175°C时，ID最大为40A，而在125°C时则为23A，这个数值会随着温度的升高而减少，这是由于半导体材料的热特性所决定的。 脉冲漏极电流IDM达到120A，表明该器件可以短时间处理更大的电流。同时，AOD482-VB具有35A的雪崩电流能力，允许在设计中考虑电路保护的雪崩效应。反复雪崩能量EAR为61mJ，表示在特定条件下，MOSFET能承受的最大能量而不受损。 热性能方面，结到外壳的热阻RthJC为1.4°C/W，这意味着每增加1W的功率损耗，结温将上升1.4°C。而结到环境的热阻RthJA为40°C/W，对于散热设计至关重要，因为它决定了器件如何有效地散发热量。为了符合RoHS标准，该产品不含有铅，但某些应用可能有例外。 TO-252封装是一种小型化且易于散热的封装形式，适合于需要高功率密度和良好热管理的应用。该封装设计包含三个引脚：漏极D、源极S和栅极G，便于在电路板上安装和连接。 AOD482-VB MOSFET适用于需要高效、低热阻和高可靠性的电源转换、电机驱动、负载开关等应用，尤其是在需要处理较大电流且工作环境温度较高的场合。设计者在使用时需注意其工作条件，如不超过最大功率耗散、适当散热以及遵循安全操作区(SOA)曲线，以确保设备的长期稳定运行。