士兰微电子SVF8N60T/F:高性能高压MOS场效应晶体管
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更新于2024-09-08
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"SVF8N60T/F是一款由士兰微电子制造的N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管,采用F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术,具有低导通电阻、高开关性能和强雪崩耐受能力。适用于AC-DC开关电源、DC-DC电源转换器、高压H桥PWM电机驱动和LED驱动电源等应用。"
SVF8N60T/F是一款8A、600V的N沟道MOSFET,其主要特点包括:
1. **低导通电阻**:该器件在VGS=10V时,典型RDS(on)仅为0.96Ω,这意味着在导通状态下,它能提供较低的电阻,从而在高电流通过时减少能量损失。
2. **低栅极电荷**:低栅极电荷意味着在开关过程中,控制MOSFET开闭所需的驱动电流较小,这有助于提高系统的开关速度和效率。
3. **低Crss**:Crss代表存储电荷,是MOSFET在开关过程中的一个关键参数,低Crss值降低了开关瞬间的电流尖峰,减少了电磁干扰并提高了系统稳定性。
4. **快速切换**:得益于其优化的内部设计,SVF8N60T/F能够在短时间内完成状态切换,适合于需要快速响应的高频应用。
5. **优异的dv/dt能力**:高dv/dt能力表示器件能够承受电压变化率的快速变化,这在处理瞬态负载或高频信号时至关重要。
6. **高雪崩耐受能力**:这款MOSFET采用了改进的保护环终端设计,能够承受高能量脉冲,确保在过压或短路情况下的可靠性。
7. **封装与标记**:SVF8N60T采用TO-220-3L封装,标记为SVF8N60T,无铅包装,以管装形式提供。而SVF8N60F则采用TO-220F-3L封装,同样无铅且管装。
8. **应用领域**:由于其高性能和高耐压特性,这款MOSFET广泛应用于各种电力转换和驱动系统,如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、高压H桥脉宽调制电机驱动器和LED驱动电源等。
SVF8N60T/F是一款设计精良、性能出色的高压MOSFET,专为需要高效、可靠和高速切换的电力应用而设计。其优化的F-CellTM工艺技术确保了在实际操作中的优秀表现,并且满足了现代电子设备对低能耗和高稳定性的需求。
2007-05-15 上传
2023-05-22 上传
2007-05-15 上传
2009-06-30 上传
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2021-03-21 上传
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