提高SRAM FPGA抗MCU错误的布线算法

"SRAM型FPGA抗多位翻转布线算法 (2013年) - 张硕,伊小素,朱明达,张家铭 - 北京航空航天大学光电技术研究所" 这篇论文主要探讨了如何应对SRAM型FPGA（现场可编程门阵列）中的多位翻转错误问题，这种错误通常由单粒子效应（Single Event Effects, 简称SEU）引起。随着集成电路元件尺寸的不断缩小，FPGA的配置存储器变得更加容易受到这类效应的影响，导致MCUs（多位翻转错误，Multi-bit Upsets）的发生。MCUs是由于单个粒子撞击导致的多个位同时翻转，这是传统三模冗余（Triple Modular Redundancy, TMR）技术难以防护的。 论文中提出了一个增强TMR电路可靠性的布线算法，专门针对MCUs。该算法不仅考虑了FPGA配置存储单元的设计信息，还考虑到了逻辑簇（Logic Cluster）的信息，逻辑簇用于记录逻辑资源的位置以及它们之间的连接关系。通过这样的布线策略，可以有效地降低MCUs事件的影响，提高FPGA在空间电子系统中的抗辐射性能。 实验对MCUs进行了静态分析，并将提出的布线算法应用到标准电路的加固测试中，验证了算法的可靠性和有效性。这些测试结果证明，该算法能够有效地改善SRAM型FPGA在高辐射环境下的工作稳定性，提高系统的整体可靠性。 这篇论文的关键词包括FPGA、SEU、TMR和MCU，表明了研究的核心内容。根据中图分类号TN791，可以判断这属于电子技术与信息技术领域的研究。文献标志码"A"表示这是一篇原创性科学研究论文。 这篇2013年的研究提供了一种创新的解决方案，以抵抗SRAM型FPGA在恶劣空间环境下的MCUs问题，这对于保障太空电子设备的正常运行具有重要意义。