WAYON维安WM02DN08DR MOSFET技术规格

"该文档是关于WAYON维安公司作为KOYUELEC光与电子的一级代理分销商，介绍了一款名为WM02DN08DR的双通道增强型MOSFET产品。这款MOSFET具备低导通电阻、沟槽型LV MOSFET技术以及静电保护功能，采用SOT-363封装。" WM02DN08DR是一款由WAYON维安代理的KOYUELEC光与电子生产的双通道增强型MOSFET，主要特性包括： 1. **低导通电阻**：在VGS=4.5V时，RDS(on)小于0.38Ω，而在VGS=2.5V时，RDS(on)小于0.45Ω。这意味着在正常工作条件下，MOSFET的内阻非常小，能有效降低电路中的功率损耗。 2. **沟槽型LV MOSFET技术**：采用这种先进技术，可以实现更小的尺寸和更高的效率，同时保持良好的电气性能。 3. **静电保护**：WM02DN08DR具备ESD保护，能够防止静电放电对器件造成损害，提高了产品的可靠性。 4. **封装形式**：采用SOT-363封装，这是一种小型化封装，适用于空间有限或需要高密度组装的应用。 5. **符合RoHS标准**：表明该产品符合欧盟的RoHS指令，不含有六种有害物质，有利于环保。 在电气特性方面，WM02DN08DR的主要参数有： 1. **耐压能力**：最大Drain-Source电压VDS为20V，最大Gate-Source电压VGS为±8V，这确保了MOSFET在正常工作电压范围内不会损坏。 2. **电流能力**：连续Drain电流ID在25°C时为0.75A，脉冲Drain电流IDM可达3A，表明其能够处理一定的瞬时大电流。 3. **功耗限制**：最大功率耗散PD在25°C时为250mW，需要确保使用时散热良好，以防过热。 4. **温度范围**：操作和存储的结温范围为-55到150°C，保证了在广泛的工作环境中稳定工作。 此外，WM02DN08DR的热特性包括从结到环境的热阻RθJA为500°C/W，这意味着每增加1W的功率，结温将升高500°C，设计时需考虑适当的散热方案。 该MOSFET的电气特性还包括静态和动态特性，如Drain-Source击穿电压、栅极阈值电压、输入电容、输出电容等，这些特性在不同测试条件下都有明确的最小、典型和最大值，为设计者提供了详细的设计依据。 WM02DN08DR是一款适合于需要高效、小型化、低功耗解决方案的电路设计，特别是在电源管理、信号开关和其他对低内阻有要求的电子设备中。其优秀的电气特性和封装设计，使其成为许多应用的理想选择。