安森美半导体LC03-6R2-D:高速数据接口低电容ESD保护器
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更新于2024-09-05
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"安森美半导体的LC03-6R2-D是一款低电容表面贴装瞬态电压抑制器,特别适用于高速数据接口的ESD、EFT和雷击保护。这款器件提供了SO-8封装,峰值功率为2000瓦(8x20微秒波形),在25°C时的峰值脉冲电流为40安培(5/310微秒),符合IEC61000-4-2的ESD标准(15kV空气,8kV接触),EFT标准为40A(5/50ns),以及IEC61000-4-5的雷击标准(95A,8/20微秒)。此外,它具有UL94V-0的阻燃等级,并且有无铅封装可供选择。主要应用领域包括高速通信线路保护。"
LC03-6R2-D是安森美半导体推出的一款高性能ESD保护器件,其设计目标是为高速通信线路提供保护,如数据接口,防止静电放电(ESD)、电磁脉冲(EFT)和雷击对设备造成的损害。这个器件的封装形式为SO-8,这种小型封装有利于集成到高密度电路板设计中。
该器件的峰值功率耐受能力非常强,可以在25°C环境下承受2000瓦的峰值功率,这是衡量其在短脉冲下能吸收多少能量的关键指标。此外,LC03-6R2-D能够在短时间内承受高达100安培的脉冲电流,这使其能够有效应对ESD事件,例如IEC61000-4-2标准规定的15kV空气接触放电和8kV接触放电。同时,它还满足EFT(电磁脉冲)标准IEC61000-4-4,以及雷击浪涌标准IEC61000-4-5。
在可靠性方面,LC03-6R2-D的结温及存储温度范围为-55°C至+150°C,确保了在极端温度环境下的稳定工作。引脚焊接温度最大可承受260°C,10秒内,符合常见的SMT工艺要求。然而,这些是应力测试的极限值,超过这些限制可能会损坏器件,因此在实际操作中应遵守器件的工作条件。
作为一款针对高速通信线路保护而设计的器件,LC03-6R2-D的低电容特性对于保持信号完整性至关重要。低电容意味着在保护电路的同时,对信号传输的影响减至最小,从而保持数据的高速和准确传输。此外,UL94V-0的阻燃等级保证了其在发生火灾情况下的安全性。最后,提供无铅封装选项符合现代环保制造的趋势,满足RoHS标准。
总结来说,安森美半导体的LC03-6R2-D ESD保护器件是高速数据接口保护的理想选择,其出色的性能参数、低电容设计、以及广泛的兼容性,确保了在各种恶劣环境和条件下,设备的数据通信安全得到保障。
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2019-09-15 上传
2019-10-24 上传
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2019-10-31 上传
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