BUK7880-55A-VB：一款环保N沟道SOT223封装高性能MOSFET

本文档主要介绍了BUK7880-55A-VB型号的N沟道SOT223封装MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），这是一种低卤素、沟槽型FET功率MOSFET器件。以下是关于该MOSFET的重要特性、应用范围以及规格参数的详细说明： 1. **特性**： - **无卤化物设计**：BUK7880-55A-VB采用无卤材料，确保了环保和低电磁干扰。 - **TrenchFET技术**：利用沟槽工艺，提高开关速度和效率，减少导通电阻（RDS(on)）。 - **封装形式**：SOT223封装，适合小型便携设备中的负载开关应用。 2. **应用**： - 主要应用于便携式设备中的负载开关，如手机、平板电脑等，需要高效能、小型化的电路解决方案。 3. **规格参数**： - **耐压**（VDS）：最大允许电压为60V，保证在不同工作条件下设备的安全。 - **漏源阻抗**（RDS(on)）：典型值在VGS=10V时为0.076Ω，表明其低阻态性能。 - **连续电流（ID）**： - 在室温（TA=25°C）下，最大ID为1A； - 在较高温度（TA=70°C）下，下降到约0.7A。 - **脉冲电流（IDM）**：峰值电流限制为20A，适用于短时间的高强度操作。 - **源漏电流（IS）**：连续源漏电流在室温下约为0.2A，但需注意条件限制c。 - **热性能**： - 最大功率密度为95°C/W，在稳定状态下运行，以保持散热效率。 - 需要注意的是，由于是无引脚芯片封装（leadless package），在焊接时需要注意操作方法，手动烙铁焊接不推荐。 4. **注意事项**： - 包装限制：适用于1"x1" FR4板上的表面安装，且在指定温度条件下（如T=10s）工作。 - 终端处理：裸露的铜终端不镀层，由制造过程的单片化造成，建议在铜端部添加适量的焊膏以确保底部焊点连接。 - 重新焊接条件：对于无引脚组件，建议使用专门针对此类封装的焊接方法。 总结来说，BUK7880-55A-VB是一款高性能的N沟道SOT223封装MOSFET，适合在小型电子设备中作为负载开关使用，具有低功耗、高效率和小型化的优势，但在操作和安装过程中需要注意其无引脚结构带来的特殊要求。