英飞凌OptiMOSTM5 BSZ0502NSI MOSFET芯片技术规格
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更新于2024-08-04
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"BSZ0502NSI是英飞凌公司生产的OptiMOSTM5系列的一款30V N沟道功率MOSFET,它特别优化用于高性能降压(buck)转换器。这款MOSFET集成了一个肖特基类似的二极管,并具有非常低的开启电阻RDS(on),在VGS=4.5V时仅为2.8毫欧。产品通过了JEDEC的相关标准测试,适用于目标应用,且采用无铅电镀,符合RoHS和IEC61249-2-21的卤素免费要求。"
英飞凌的BSZ0502NSI是一款先进的半导体器件,属于OptiMOSTM5功率MOSFET系列。该器件的核心是一个N沟道MOSFET,其设计目标是提供在高效率电源转换应用中的卓越性能。其中的关键特性包括:
1. 优化的高性能buck转换器设计:这意味着BSZ0502NSI特别适合于需要高效能、快速开关操作的直流-直流转换器,如在计算机主板、手机充电器、电池管理系统等中的降压电路。
2. 集成的肖特基式二极管:这种集成的体二极管可以提供反向电流通道,减少外部元件的需求,从而简化电路设计,提高系统的紧凑性和效率。
3. 极低的开启电阻RDS(on):在栅极电压为4.5V时,RDS(on)仅为2.8毫欧,这在开关操作中降低了导通损耗,使得转换器能以更高的效率工作。
4. 100%雪崩测试:确保器件在过压条件下的安全性,增强其耐受恶劣工作环境的能力。
5. JEDEC认证:BSZ0502NSI已按照JEDEC的J-STD和JESD22标准进行测试,确保了质量和可靠性。
6. 环保设计:无铅电镀工艺和卤素免费,符合RoHS指令,有利于绿色电子产品的发展。
封装方面,BSZ0502NSI采用的是TSDSON-8FL封装,其尺寸紧凑,有助于减少PCB空间占用。此外,产品上的标记为“0502NSI”,便于识别和订购。
在实际应用中,BSZ0502NSI的其他关键参数包括最大漏源电压VDS为30V,连续漏极电流ID为40A,关断状态电荷QOSS为13.5nC,以及栅极电荷QG在0V至4.5V之间的变化值为9nC。这些参数对理解器件在不同工作条件下的性能至关重要。
BSZ0502NSI是英飞凌在功率管理与多市场应用领域的创新产品,具备优秀的性能指标和设计特点,适用于需要高效、可靠和紧凑解决方案的电源转换系统。
2023-05-27 上传
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