英飞凌 IPP024N08NF2S MOSFET 芯片技术规格书

"IPP024N08NF2S INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书.pdf" 本文将详细介绍 IPP024N08NF2S，这是一款由英飞凌科技（INFINEON）制造的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该芯片设计适用于广泛的电子应用，具备高性能和高可靠性。 这款MOSFET的主要特点包括： 1. 优化应用于多种场景，具有通用性。 2. N沟道，属于正常级别。 3. 经过100%雪崩测试，确保了在极端条件下的稳定性。 4. 符合欧盟RoHS标准，采用无铅电镀，环保无卤素，符合IEC61249-2-21标准。 5. 已通过JEDEC（联合电子设备工程委员会）标准的产品验证。 关键性能参数如下： - VDS（漏-源电压最大值）：80V - RDS(on)，max（最大漏-源导通电阻）：2.4毫欧 - ID（连续漏电流）：182A - Qoss（总栅极电荷）：105nC - QG（栅极电荷）：89nC 产品封装信息： - 型号/订购代码：IPP024N08NF2S - 封装：PG-TO220-3 - 标记：024N08NS 规格书中还包含了以下内容： - 最大额定值表，详细列出了芯片在不同工作条件下的安全工作范围。 - 热特性，描述了芯片在不同热环境下的性能表现。 - 电气特性，包括静态和动态参数，如阈值电压、输入电容等。 - 电气特性图表，通过图形化展示特性曲线，帮助用户理解其在不同工作状态下的行为。 - 封装轮廓，提供了芯片物理尺寸的详细图纸。 - 修订历史，记录了规格书的更新历程。 - 商标和免责声明，明确了知识产权和法律信息。 IPP024N08NF2S是一款高性能的功率MOSFET，适用于需要高效能、低损耗和高可靠性的电源管理、开关电源、电机驱动等应用。其紧凑的封装和出色的电气特性使其成为工程师在设计电路时的理想选择。在实际应用中，正确理解和利用这些规格参数是确保电路设计成功的关键。