VBM方法揭示缺陷型与非缺陷型精神分裂症脑白质差异

本研究旨在通过"缺陷型"与"非缺陷型"精神分裂症的对比，利用基于体素的脑形态测量学方法来探讨这两种不同类型患者大脑白质结构的差异。研究由王湘、王晓晟等人进行，他们利用GE Signa TwinSpeed 1.5T超导型MRI成像系统，对精神分裂症的缺陷型(n=10)、非缺陷型(n=11)以及正常对照(n=15)群体进行了全面的全脑扫描，获取了详细的脑解剖结构MRT1图像。 在数据分析阶段，研究者借助SPM2平台上的VBM ( voxel-based morphometry) 工具箱，进行了一种自动化的方法来分析数据。他们关注的是那些在P值小于0.001(未经校正)且包含超过30个连续体素的脑区，这些被认为是显示显著差异的区域。 结果显示，与正常对照相比，缺陷型精神分裂症患者的白质密度下降主要集中在左侧额叶回下区域，而非缺陷型患者则显示出左侧额叶回下、右颞中回、右枕叶舌回以及胼胝体的异常。在两型患者间的比较中，缺陷型患者表现出双侧额上回和右侧顶叶的白质密度较低，而左侧额内侧回的白质密度相对较高。 这项研究的重要意义在于，它是首次利用VBM技术来深入探究缺陷型与非缺陷型精神分裂症患者脑白质损伤的独特形态学特征。这为之前提出的"额-顶环路受损"假说提供了新证据，进一步支持了精神分裂症群体异质性的重要性。缺陷型患者通常伴有明显的阴性症状，这些症状被认为是原发性的，对于疾病的理解及治疗策略的制定具有指导意义。 此外，从病因学角度看，精神分裂症的发病可能涉及大脑不同区域的连接和神经通路异常。研究发现，精神分裂症患者白质的异常是相对稳定的，不受病程或病情变化的影响，这使得针对不同类型患者如缺陷型和非缺陷型的脑白质研究显得尤为关键，有助于揭示疾病的本质和寻找更精准的治疗靶点。 这项基于体素的脑形态学研究为深入了解精神分裂症不同类型患者的大脑病理变化提供了宝贵的数据支持，为未来精神病学的临床实践和基础研究开辟了新的探索方向。