TEA-CO2激光对HgCdTe图像传感器的干扰与损伤研究

"激光技术在HgCdTe图像传感器中的应用及影响分析" 本文主要探讨了利用TEA-CO2激光对HgCdTe图像传感器进行实验研究，关注激光对传感器的干扰和潜在损伤问题。HgCdTe是一种重要的红外探测材料，广泛应用在红外成像系统中。在激光能量密度小于255mJ/cm²的情况下，传感器的饱和像素仅限于激光照射区域。然而，当激光能量密度增加到425.8mJ/cm²时，像素受到损伤，表现为弥散斑和暗环等异常现象。 作者们建立了一个探测器的激光辐照模型，通过计算得出探测器的温升，进一步分析了温升与载流子浓度、迁移率之间的关系。热效应在这里起到了关键作用，因为温度上升会激发更多的载流子，导致浓度扩散，进而产生弥散斑。暗环的形成则被认为是载流子浓度扩散与迁移率降低共同作用的结果。此外，像素损伤的原因可能是因为高温导致Hg的析出，这会影响材料的性能并可能导致传感器失效。 关键词强调了激光技术、HgCdTe图像传感器、干扰损伤、热效应和迁移率这些核心概念。文章的研究对于理解激光对红外探测器的影响，以及如何优化设计和保护这类传感器以抵抗激光干扰和损伤具有重要意义。该研究为后续的激光防护技术和传感器材料改进提供了理论基础和实验数据。 这篇研究深入研究了TEA-CO2激光对HgCdTe图像传感器的交互作用，揭示了激光能量密度、热效应和迁移率等因素如何影响传感器性能，尤其是在高能激光照射下的干扰和损伤机制。这对提高红外成像系统的稳定性和耐受性具有指导价值。