英飞凌IAUT200N08S5N023功率晶体管详细规格与特性

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IAUT200N08S5N023是一款由INFINEON(英飞凌)生产的OptiMOS™-5功率晶体管,它属于N沟道增强模式器件。这款芯片在设计上注重了工业级应用的可靠性,符合AEC(Automotive Electromagnetic Compatibility)标准,适合在严苛的汽车电子环境中使用。它的最大特点是具有极低的漏电流(Rds(on)),能够实现高效的功率转换,这对于现代电子产品中的电源管理至关重要。 该器件的额定参数包括: 1. 连续 Drain Current (ID): 在25°C下,当栅极电压(VGS)为10V时,可以稳定输出高达200A的电流;而在100°C条件下,这一值降至148A。这意味着它在不同温度下的工作能力有所调整。 2. 脉冲 Drain Current (ID,pulse): 在25°C下,可以承受短时间的峰值电流,如800A,这确保了设备在高负载下的瞬态响应性能。 3. Avalanche Energy (EAS): 单次脉冲下的雪崩能量为330mJ,当ID达到100A时,表明它具有一定的过载保护能力。 4. Avalanche Current (IAS): 单次脉冲下的雪崩电流为200A,这同样是评估其过载保护性能的重要指标。 5. Gate-to-Source Voltage (VGS): 可以承受的栅极对源极电压范围为±20V,提供了足够的电压控制灵活性。 6. Power Dissipation (Ptot): 在25°C下,允许的最大功率损耗为200W,这有助于防止过热并确保长期可靠运行。 7. Temperature Ratings: 产品的工作温度范围是-55°C至+175°C,存储温度范围则更宽,兼容IEC气候类别DIN IE68-1中的55/175/56等级。 8. 物理特性: IAUT200N08S5N023采用P/G-HSOF-8-1封装,标记为5N08023,具有清晰的引脚布局,便于安装和电气隔离。 9. 版本信息: 本规格书的版本为Rev.1.0,发布日期为2017年12月15日。 总体来说,IAUT200N08S5N023是一款适用于工业应用的高性能、高可靠性和低功耗的功率晶体管,是设计高效能和绿色电子产品时的理想选择。在实际电路设计中,应充分考虑这些参数以确保器件的稳定性和安全性。