2SJ168-VB：P沟道60V SOT23封装MOSFET技术规格

"2SJ168-VB是一款P沟道的SOT23封装MOS场效应晶体管，适用于高边切换应用，具有低导通电阻、快速切换速度和低输入电容等特点。该器件符合RoHS指令，并且是无卤素设计。" 2SJ168-VB是一款由VBsemi公司生产的P沟道MOSFET，其主要特点包括： 1. **无卤素设计**：遵循IEC61249-2-21标准定义，2SJ168-VB不含有卤素成分，这使得它在环保方面有所贡献。 2. **TrenchFET®技术**：采用TrenchFET®结构，这是一种先进的沟槽型MOSFET技术，能提供更低的导通电阻和更好的开关性能。 3. **高边切换**：2SJ168-VB适合用作高边开关，即在电源正极侧进行控制，这在电源管理电路中非常常见。 4. **低导通电阻**：在VGS = -10V时，其典型导通电阻仅为3Ω，这意味着在导通状态下，流过器件的电流产生的电压降较小，从而降低了功耗。 5. **低阈值电压**：阈值电压为-2V（典型值），使得器件在较低的栅极电压下即可开启。 6. **快速切换速度**：具有20ns（典型值）的快速切换时间，适合高速开关应用。 7. **低输入电容**：输入电容仅为20pF（典型值），这有助于减少开关时的动态功率损耗。 8. **RoHS合规性**：符合RoHS指令2002/95/EC，不含铅和其他有害物质。 在电气参数方面，2SJ168-VB的特性如下： - **最大漏源电压** (VDS)：-60V，确保了在额定工作条件下器件的安全性。 - **最大栅源电压** (VGS)：±20V，限制了栅极电压的范围，防止损坏。 - **连续漏极电流** (ID)：在25°C和100°C下的最大值分别为-500mA和-350mA。 - **脉冲漏极电流** (IDM)：瞬态允许的最大电流为-1500mA。 - **最大功率耗散** (PD)：在不同温度下的最大值，25°C时为460mW，100°C时为240mW。 - **最大结壳热阻** (RthJA)：350°C/W，表示器件的热性能。 - **工作和存储温度范围** (TJ, Tstg)：从-55°C到150°C，确保了器件在广泛的工作环境中稳定工作。 这款MOSFET采用SOT23封装，体积小巧，便于在电路板上布局。其引脚排列为S-G-D，分别代表源极、栅极和漏极，适用于各种需要小型化和高效能的电子设备。 2SJ168-VB是一款高性能、环保、小型化的P沟道MOSFET，适合用于电源管理、驱动电路以及需要高速切换和低功耗的应用场景。如果您需要了解更多详细信息，可以参考2SJ168-VB的数据手册或联系VBsemi的服务热线400-655-8788。