60T03H-VB N沟道TO252封装MOSFET：高性能与合规应用

60T03H-VB是一种高性能的N沟道TO252封装MOS场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET），它属于TrenchFET系列的功率MOSFET产品。这款器件具有以下关键特性： 1. **高电压耐受性**：该MOSFET支持高达30伏的 Drain-Source Voltage (VDS)，确保了在高压应用中的稳定性。 2. **卓越的开关性能**：通过100%的Rg和UISTest验证，它在不同工作条件下表现出优良的漏极电阻（RDS(on)），典型值在VGS=10V时为0.005Ω，在VGS=4.5V时为0.006Ω。 3. **环保合规**：符合RoHS指令2011/65/EU，表明其在生产过程中严格遵循了环保标准。 4. **广泛应用**：60T03H-VB适用于多种场景，如并联（OR-ing）、服务器电源管理以及直流-直流转换器等。 5. **封装和安装**：表面贴装在1"x1" FR4板上，便于集成，并且在10秒的脉冲条件下，有特定的电流限制。 6. **热管理**：在室温下，最大连续漏极电流（ID）限制在25°C时为60A，而在70°C时为22A。最大瞬态脉冲电流（IDM）为250A，单次脉冲雪崩电流（IAS）为39A，单脉冲雪崩能量（EAS）为94.8毫焦耳。 7. **安全限制**：在25°C下，最大功率损耗（PD）为205瓦，而在70°C下为135瓦。此外，提供连续源-漏极二极管电流（IS）的限制。 8. **温度范围**：该器件的操作和存储温度范围宽广，从-55°C到175°C，包括结温（TJ）和储存温度（Tstg）。 9. **热阻抗**：给出了从芯片到散热器的热阻抗值，对于不同的温度条件有不同的限制。 60T03H-VB是一款设计用于高效率、高可靠性和环保应用的理想选择，特别是在对功率密度和温度控制有严格要求的电子系统中。在选择和使用该器件时，应考虑其极限条件和推荐的使用环境，以确保最佳性能和系统安全。