英飞凌AUIRF1404Z汽车级功率MOSFET技术规格

"AUIRF1404Z是一款由INFINEON英飞凌公司生产的电子元器件芯片，属于先进功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款芯片以其超低的导通电阻、宽泛的工作温度范围、快速的切换速度以及允许重复雪崩操作等特性，特别适用于汽车应用和其他各种应用。\n\nAUIRF1404Z系列包括AUIRF1404ZS和AUIRF1404ZL型号，其主要参数如下：\n\n- VDSS（漏源极间最大电压）：40V，这是芯片在正常工作状态下能够承受的最大电压。\n- RDS(on)max.（最大导通电阻）：3.7毫欧，这表示当栅极电压为10V时，晶体管在导通状态下的电阻，较低的RDS(on)意味着更低的功耗和更高的效率。\n- ID(SiliconLimited)（硅片限制的连续漏电流）：180A，在25°C的环境温度下，芯片硅片本身的性能可支持的最大持续漏电流。\n- ID(PackageLimited)（封装限制的连续漏电流）：160A，考虑到封装材料的限制，芯片在100°C环境下，最大持续漏电流。\n\n此款芯片采用先进的工艺技术，实现极低的单位面积导通电阻，使得在同样体积下，能提供更优的性能。175°C的结温操作温度意味着该器件能在高温环境中稳定工作。其快速切换速度对于高频率的应用尤其重要，而重复雪崩允许至Tjmax（最大结温）则表明芯片具有较强的过载能力，增加了其在恶劣条件下的可靠性。\n\n此外，AUIRF1404Z符合RoHS标准，无铅且符合环保要求，同时经过了汽车级认证，详细资质标准可在英飞凌官方网站的AUTOMOTIVEGRADE部分找到。这款HEXFET®功率MOSFET是英飞凌注册商标，集高效能与高可靠性于一身，适用于广泛的汽车应用及其它领域。\n\n请注意，实际应用中应参考数据手册中的详细规格，并根据具体电路设计和环境条件进行合适的选择和使用。\n\n最后更新日期：2015-11-11"