TrenchFET® N沟道100V MOSFET BUK96180-100A-VB详细规格

"BUK96180-100A-VB是一款N沟道MOSFET，采用TO263封装，适用于100V工作电压，具有低热阻和175°C的工作结温，常用于隔离型DC/DC转换器等应用。" **产品概述** BUK96180-100A-VB是一款由VBsemi公司生产的N沟道MOSFET，其主要特性在于采用了TrenchFET®技术，这是一种先进的制造工艺，旨在提供更低的导通电阻和更好的热性能。这款器件的最大额定漏源电压（VDS）为100V，确保了在高电压环境下稳定工作。此外，它能在175°C的结温下保持正常运行，这使得该MOSFET适合于高温环境或高功率应用。 **关键参数** - **导通电阻(RDS(on))**：在10V栅极-源极电压(VGS)时，RDS(on)仅为0.100Ω，这意味着当MOSFET导通时，流过的电流产生的压降非常小，从而提高了效率。 - **持续漏源电流(ID)**：在25°C时，连续漏源电流ID的最大值为20A，而在125°C时，ID降至16A，这反映了随着温度升高，器件电流承载能力的下降。 - **脉冲漏源电流(IDM)**：最大脉冲漏源电流为70A，表明该MOSFET能承受短时间的大电流冲击。 - **雪崩电流(IAS)**：在L=0.1mH的电感条件下，最大雪崩电流为20A，同时，单脉冲雪崩能量(EAS)可达到200mJ，表明器件在过电压条件下的稳定性。 - **最大功率耗散(PD)**：在25°C时，最大功率耗散为3.75W，这限制了器件在特定散热条件下的工作功率。 **热性能** - **结温范围**：工作和存储的结温范围从-55°C到175°C，提供了宽泛的操作温度区间。 - **热阻抗**：器件具有良好的热性能，其中，结到外壳(Drain)的热阻RthJC为0.4°C/W，而结到环境的热阻RthJA为40°C/W，这些低热阻数值意味着在高功率操作时，器件能够快速有效地散热。 **应用领域** 由于其低热阻、高耐压和大电流能力，BUK96180-100A-VB特别适用于需要高效能和高可靠性的应用，如隔离型DC/DC转换器。其TO263封装（也称为D2PAK）设计有助于散热，进一步增强了其在电源管理、电机驱动和其他高功率电子系统中的应用潜力。 **合规性** 该器件符合RoHS标准，即它不含铅且符合欧盟关于有害物质的限制要求，确保了其环保性和市场准入性。 **联系方式** 如需获取更多关于BUK96180-100A-VB的信息或技术支持，可以通过VBsemi提供的服务热线或官方网站进行咨询。