存储器PCB设计规范与SDRAM布线关键要点

"存储器PCB设计规范涵盖了电路概括、典型电路设计、布局要求、阻抗要求、线宽要求和等长范围等多个方面。重点介绍了SDRAM的布线规范，包括特性阻抗、数据线组别、数据线与其他线的距离、地线隔离以及布线拓扑结构。此外，还提到了等长布线的规则和误差范围。同时，简述了只读存储器ROM的分类，如FLASH和EEPROM，包括它们的特点、布线要求和布局注意事项。" 正文: 存储器PCB设计是电子系统中至关重要的部分，它直接影响到存储器的性能和系统的稳定性。在设计过程中，需要遵循一系列严格的规范，确保信号传输的准确性和效率。 首先，电路概括涉及存储器的类型，如只读存储器ROM和随机存储器RAM，包括动态RAM (DRAM) 和静态RAM (SRAM)。这些存储器有不同的工作原理和应用场景，对PCB设计的要求也各有不同。 对于SDRAM的PCB设计，其特性阻抗通常设定为50欧姆，以保证信号的完整传输。数据线被分组，例如D0到D7与LDQM一组，D8到D15与HDQM一组，尽可能在同一层布线，以减少干扰。数据线、地址线、控制线和时钟线之间应保持至少20mil以上的距离，或者采用3W的间距规则，以提供足够的信号隔离。在空间允许的情况下，添加地线进行隔离可以进一步降低干扰，推荐的地线宽度在15-30mil之间。完整的参考平面有助于提高信号质量，而布线拓扑结构通常采用远端分支，T点(过孔)位于两片SDRAM之间。 SDRAM的等长布线是确保系统时序同步的关键。所有数据线被归类为sdram_data_bus，地址线、控制线和时钟线归为sdram_addr_bus。所有信号线需要参照时钟线的长度进行等长调整，数据线的误差范围控制在±50mil，地址线的误差范围控制在±100mil。 只读存储器ROM，如FLASH和EEPROM，也有特定的布线和布局要求。FLASH通常以菊花链形式布局，特性阻抗同样为50欧，线间距保持3W，等长范围为±100mil。而EEPROM，作为可擦可编程的ROM，需要靠近主芯片布局以缩短信号路径，同时需要添加去耦合电容以滤除电源噪声。它的管脚定义包括地址选择、串行数据和时钟等，其布局要求是尽量靠近主芯片以减小延迟。 存储器PCB设计规范是一个涉及多种因素的复杂过程，包括但不限于电路类型、阻抗匹配、线宽控制、地线规划和等长布线。理解并严格遵守这些规范，才能确保存储器在PCB上的高效、稳定运行。