Micron LPDDR4 SDRAM详细特性与规格手册

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LPDDR4是一种高级动态随机访问存储器(DRAM)技术,特别适用于高性能、低功耗的应用场景,如汽车电子、移动设备等。本篇内容主要介绍了Micron公司生产的MT53B128M32型号的LPDDR4 SDRAM模块,其特性包括: 1. **电源管理**:该模块支持超低电压核心和I/O供电,VDD1工作电压范围为1.70-1.95V(典型值1.8V),而VDD2/VDDQ则为1.06-1.17V(典型值1.10V)。这种设计有助于降低功耗,提高能源效率。 2. **频率范围**:MT53B128M32支持从1866MHz到10MHz的频率,对应数据速率范围为3733-20Mb/s/pin,这使得它能适应不同的系统需求。 3. **架构与性能**:采用16级预取的DDR架构,每通道分为两部分,旨在减少读写操作的能量消耗和平均延迟。每个通道有8个内部银行,支持并行操作,提高数据传输速度。 4. **命令与数据传输**:单数据率CMD/ADR入口,以及每字节双向/差分数据 strobe,提供了灵活的数据传输方式。读写延迟(RL/WL)可编程,支持突发长度BL设定(16位或32位)。 5. **刷新功能**:通过定向每银行刷新,便于命令调度,并且可以实现并发银行操作。内置温度传感器用于控制自刷新速率,保证存储器在高温环境下的稳定工作。 6. **低功耗模式**:支持部分阵列自刷新(PASR)和可选的输出驱动强度(DS),以及时钟停止功能,进一步减小功耗。 7. **绿色设计**:产品符合RoHS标准,采用环保包装,体现出对可持续性的考量。 8. **标识选项**:提供两种电压选项,VDD1/VDD2为1.8V/1.1V,阵列配置为128M×32,即两个16M通道,每个通道由一个128M×32的单片die组成,封装形式为FBGA(球栅阵列)。 Micron MT53B128M32 LPDDR4 SDRAM是针对高效率和低功耗应用的理想选择,它的设计特点和功能组合使其能够在各种苛刻条件下保持卓越性能和稳定性。