AP6679BGM-VB：P沟道30V MOSFET，适用于负载开关应用

"AP6679BGM-VB是一种P沟道、30V(D-S)的MOSFET，采用SOP8封装，具备无卤素、TrenchFET功率MOSFET技术，通过了100%的Rg和UIS测试，适用于负载开关和笔记本适配器开关等应用。" AP6679BGM-VB是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），设计用于在各种电子设备中作为开关或电流控制元件。其主要特性包括： 1. **无卤素**：该器件不含卤素元素，符合绿色环保的设计标准，有利于减少对环境的影响。 2. **TrenchFET技术**：采用TrenchFET结构，这种技术通过在硅片上形成深沟槽，极大地减小了导通电阻，提高了开关效率和热性能。 3. **100%Rg和UIS测试**：经过严格的Rg（栅极电阻）和UIS（雪崩免疫）测试，确保了器件在各种工作条件下的稳定性和可靠性。 在应用方面，AP6679BGM-VB适合于： - **负载开关**：作为电源管理电路的一部分，控制电路的通断，确保设备安全和节能。 - **笔记本适配器开关**：在笔记本电脑适配器中，它可以帮助控制电源流，提供稳定的电压输出。 产品参数方面，AP6679BGM-VB具有以下关键指标： - **最大漏源电压VDS**：-30V，表明器件可以承受的最大电压差。 - **导通电阻RDS(on)**：在VGS=-10V时为0.011Ω，在VGS=-4.5V时为0.015Ω，低的RDS(on)意味着在导通状态下流过电流时产生的功率损耗较低。 - **连续漏极电流ID**：在不同温度下，最大连续漏极电流有所不同，如在25°C时为-13.5A，70°C时为-8.6A。 - **脉冲漏极电流IDM**：-50A，表明器件在短时间内能承受的峰值电流。 - **最大功率耗散PD**：在25°C时为5.0W，不同温度下有所下降，这限制了MOSFET可以处理的最大功率。 此外，AP6679BGM-VB还具有良好的热性能，包括不同的热阻抗评级，例如结到板的最大热阻，这些参数对于器件在高负荷运行时的散热管理至关重要。器件的绝对最大额定值和热特性确保了它在宽温范围内工作的安全性。 AP6679BGM-VB是一款适用于需要高效、可靠P沟道MOSFET解决方案的电子设计中的理想选择，其优异的性能和测试保证了在各种应用中的稳定运行。