英飞凌 IPP086N10N3G OptiMOS™3 功率晶体管规格书

"IPP086N10N3 G 是英飞凌科技公司生产的一款OptiMOS™3系列的N沟道功率晶体管。这款芯片具有中文版规格书手册，适用于高频率开关和同步整流应用。产品符合JEDEC标准，并且是无铅、RoHS合规的，同时满足卤素免费的要求。" IPP086N10N3 G 芯片主要特点： 1. N沟道、正常电平：这意味着该器件是一种mosfet，其栅极电压控制N型沟道的开启和关闭，适用于电源管理和其他需要控制电流流动的应用。 2. 优秀的栅极电荷与RDS(on)乘积（FOM）：FOM是衡量mosfet效率的重要指标，低FOM表示在开关过程中能量损失小，器件性能更优。 3. 极低的导通电阻（RDS(on)）：RDS(on)仅为8.2 mΩ（在TO252封装下），这意味着在器件导通时，它在通道中的电阻非常小，从而在大电流通过时产生的电压降较小，提高了系统效率。 4. 175°C的操作温度：这表明芯片能承受较高的工作环境温度，增加了其在高温环境下的可靠性。 5. Pb-free铅镀层，符合RoHS标准：不含铅的表面处理，符合环保要求。 6. 通过JEDEC认证：满足J-STD20和JESD22的标准，确保了产品的质量和可靠性。 7. 适合高频率切换和同步整流：表明该器件特别适合在高频开关电源和高效能电源转换系统中使用。 8. 卤素免费：符合IEC61249-2-21标准，意味着产品不含有害的卤素成分。 最大额定值（在Tj=25°C，除非另有规定）： - 连续漏电流（ID）：在25°C时为80A，在100°C时为58A。 - 脉冲漏电流（ID,pulse）：在25°C时为320A。 - 单脉冲雪崩能量（EAS）：在73A的ID和25W的RGS下为110mJ。 - 栅源电压（VGS）：±20V。 - 功耗（Ptot）：在25°C时为125W。 - 工作和存储温度范围：-55°C到175°C。 - 绝缘耐压（VDS）：100V。 封装类型： - IPP086N10N3G：PG-TO220-3 - IPI086N10N3G：PG-TO262-3 - IPB083N10N3G：PG-TO263-3 - IPD082N10N3G：PG-TO252-3 标记代码： - 086N10N：代表不同封装的型号标识。 IPP086N10N3 G 是一款高性能、高可靠性的功率mosfet，适用于需要高效能、低损耗的电力电子系统，特别是在高温和高频操作环境下。其卓越的电气特性、环保设计以及多种封装选项使其成为电源设计中的理想选择。