NCE60P04Y-VB场效应管:高性能P沟道SOT23封装
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更新于2024-08-03
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NCE60P04Y-VB是一款高性能的P沟道场效应晶体管,采用紧凑的SOT23封装,旨在满足工业级应用中的严格要求。该器件的特点包括:
1. **隔离封装**:NCE60P04Y-VB具备高电压隔离能力,即在60秒内的交流电压隔离高达2.5kVRMS,确保了设备在高压环境下的安全性。
2. **低漏极到引脚爬电距离**:4.8毫米的爬电距离设计,降低了电气故障的风险,保护了用户电路免受静电冲击。
3. **工作温度范围**:这款晶体管能在高达175°C的环境下稳定工作,适合高温工业应用。
4. **动态dv/dt评级**:对于瞬态电流变化有良好的响应,确保了在快速开关条件下的可靠性能。
5. **低热阻设计**:通过优化结构和材料选择,降低了晶体管内部的热阻,有助于散热,延长使用寿命。
6. **无铅环保**:符合RoHS标准,减少了对环境有害物质的使用,体现了绿色制造理念。
产品特性参数方面,NCE60P04Y-VB在不同条件下表现优异:
- **饱和漏极电阻(RDS(on))**:当VGS为-10V时,其典型值为0.04Ω,表明在低栅极电压下具有良好的导通能力。
- **栅极电荷(Qg)**:最大值为12nC,反映了晶体管存储电荷的能力。
- **栅极漏极电荷(Qgs)**:在典型条件下为3.8nC,衡量了器件在开启状态下的控制能力。
- **栅极漏极驱动电荷(Qgd)**:为5.1nC,体现了晶体管在关断过程中的快速响应。
**功率处理能力**:
- **连续电流(ID)**:在25°C时,最大值为-5.2A;而在100°C下有所衰减。
- **脉冲电流(IDM)**:对于单次脉冲,允许的最大值为-21A。
- **线性降额因子**:随着温度升高,最大功率处理能力会按0.18的比例下降。
- **单脉冲雪崩能量(EAS)**:在单次大电流脉冲下,能承受的能量限制为120mJ。
- **重复性雪崩电流(IAR)**:长期反复操作下的最大允许电流为-5.2A。
- **重复性雪崩能量(EAR)**:重复雪崩事件下的能量阈值为2.7mJ。
- **最大功率耗散(PD)**:在25°C下,器件的最高功耗为27W。
NCE60P04Y-VB是一款适用于高压、高温、高效率和高频应用的理想选择,特别适合那些需要紧凑封装、高可靠性和低功耗的电子设计项目。
2024-01-10 上传
2024-01-09 上传
2024-05-20 上传
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