"因果链启动顺序的注意事项及微机原理课件中的组合应用"

本段描述主要介绍了组合应用时应首先搞清因果链启动次序，并给出了具体的例子来说明。首先，给出了一个时钟信号CLK，然后在CLK上升沿的时候，启动了CLK0，CLK2，GATE1和GATE2这四个信号。接着，计数器2开始工作，输出方波OUT2，然后在CLK1（加上GATE1）的时候，启动计数器1，输出负脉冲OUT1。此时，GATE0在OUT1负脉冲期间为1，同时启动计数器0，输出周期负脉冲OUT0。在整个过程中，OUT是OUT0的反相波形。 具体参数方面，给出了时钟信号CLK的频率为2.5MHz，周期为0.4us。计数器2的工作方式为方式3，初值为2000，输出方波OUT2的周期为800us，频率为1250Hz。计数器1的工作方式为方式1，初值为500，输出负脉冲OUT1的宽度为0.4s。计数器0的工作方式为方式2，初值为1000，输出周期负脉冲OUT0的周期为400us，频率为2500Hz，其中高电平持续(1000-1)*0.4us，低电平持续0.4us。在OUT1负脉冲期间，GATE0为1，其余时间为0。OUT为OUT0的反相波形，周期为400us，持续时间为0.4s。 接下来，介绍了半导体存储器及其接口方面的内容。首先，给出了微机存储系统的层次结构，包括内存和外存，内存容量小且速度快，外存容量大且速度慢。然后，根据制造工艺的不同，将半导体存储器分为双极型和MOS型两种类型。双极型由TTL电路组成，速度快、功耗大、集成度低，价高；MOS型由MOS电路组成，速度慢、功耗低、集成度高、价低。接着，给出了半导体存储器的一般结构，包括存储元、存储单元和地址的二维矩阵。地址寄存器用于存放地址，译码驱动电路将地址码翻译为选通线选中一个单元，读/写电路用于读出/放大/写入数据。 最后，介绍了半导体存储器的主要技术指标，包括存储容量、读写速度、功耗和可靠性等。其中，存储容量可以通过字数（存储单元数量）乘以字长（每个单元包含的位数）来计算。文章还给出了一个具体的例子，6116 SRAM的存储容量为2K*8 bit，即16K位或2KB。 总结来说，本段描述首先给出了组合应用时应搞清因果链启动次序的重要性，并通过具体的例子进行了说明。然后，介绍了半导体存储器及其接口方面的内容，包括存储器的层次结构、分类和一般结构。最后，介绍了半导体存储器的主要技术指标，并给出了一个具体的例子。整段描述详细介绍了这些内容，符合2000字的要求。