TO252封装N沟道MOSFET TK35S04K3L-VB：高性能电源应用解决方案

本文档介绍的是TK35S04K3L-VB型号的N沟道TO252封装MOSFET，该器件采用TrenchFET®技术，提供高效能和高可靠性的开关解决方案。以下是关于该MOSFET的关键特性、应用领域以及电气参数的详细说明： 1. **特性**： - **TrenchFET**：这种MOSFET采用了先进的沟槽场效应晶体管设计，可以提供低栅极导通电阻（Rg）和优秀的电荷存储时间（UIST）性能。 - **耐受性测试**：所有器件都经过了100%的Rg和UIST测试，确保了高质量和一致性。 2. **应用场景**： - **同步整流**：由于其低导通电阻和宽工作电压范围，该MOSFET适用于需要高效率的同步整流器应用中。 - **电源管理**：其在电源供应系统中也表现出色，如DC-DC转换器和逆变器，能够有效降低损耗并提高效率。 3. **产品概述**： - **电压等级**：最大集电极源极电压（VDS）为4V，允许安全工作。 - **电流规格**： - 静态连续漏电流（I_D）：在VGS=10V时为0.0050A，在VGS=4.5V时为0.0065A。 - 最大脉冲电流（IDM）：250A，适合短时间峰值电流需求。 - 单脉冲雪崩电流（IAS）：80A，用于保护器件免受过电压冲击。 - 能量吸收能力（EAS）：320mJ，确保器件在短路情况下有足够的能量处理能力。 - **温度参数**： - 操作和储存温度范围：-55°C到150°C。 - 功率耗散能力：在25°C下，最大持续功率耗散为312W，在70°C下为200W。 4. **热阻**： - 提供了典型和最大值的热阻数据，用于计算散热设计，确保在不同环境温度下器件的稳定运行。 5. **注意事项**： - 需要注意的是，所有电流和功率参数基于特定的温度条件（如TC=25°C），并且存在封装限制电流，即110A。 - 高温下的电流限制需根据表格中的温度曲线进行调整。 综上，TK35S04K3L-VB N沟道TO252封装MOSFET是一款专为高效率、小型化和高性能应用设计的器件，其独特的TrenchFET结构和严格的测试标准确保了其在开关电路中的可靠性和稳定性。设计者在选择和使用这款MOSFET时，应充分考虑其电压、电流规格以及温度条件对系统性能的影响。