STN4828-VB: 60V双N沟道SOP8封装高性能MOS管

STN4828-VB是一款高性能的双N沟道60V耐受、175°C集成了TrenchFET技术的MOSFET，它采用SOP8封装，专为高效率和小型化设计应用而生。这款MOSFET具有以下关键特性： 1. **特性亮点**： - TrenchFET结构提供了低导通电阻（RDS(on)），在VGS=10V时为0.028Ω，而在VGS=4.5V时为0.030Ω，显示出其高开关速度和低损耗。 - 100%的Rg和UIS测试确保了可靠性和安全性。 - 限制条件包括：封装尺寸有限，脉冲测试规定脉宽不超过300μs，占空比不超过2%。 2. **产品概述**： - 驱动电流ID（每腿）为7A，适合于大电流驱动的应用。 - 采用双通道设计，方便并联使用以增加电流处理能力。 - 封装类型是SO-8，双层配置，便于板级布局。 3. **电气参数**： - 最大连续源电流（二极管导通模式）为3.6A，单脉冲雪崩电流（L=0.1mH）为18A，单脉冲雪崩能量为16.2mJ。 - 电源耗散功率在25°C下可达4W，在125°C下为1.3W。 4. **温度范围**： - 操作和存储温度范围宽广，从-55°C到+175°C，适应各种环境条件。 5. **热阻指标**： - 热阻RthJA为110°C/W，对于PCB安装的散热性能有较高的要求，建议在设计时充分考虑散热措施。 6. **注意事项**： - a. 包装限制可能对某些特定应用有局限性。 - b. 在指定条件下进行脉冲测试，确保设备在实际工作中的性能稳定。 STN4828-VB以其紧凑的封装、高电压耐受和出色的开关性能，适用于工业控制、电机驱动、电源转换等领域的电路设计，尤其是在对电流密度和散热效率有较高要求的场合。在集成设计中，需要仔细阅读数据手册，确保正确选择合适的电参数和使用条件，以充分发挥其性能潜力。