TI TS3DDR4000：高速NVDIMM控制器技术规格

TI-TS3DDR4000是一款高性能的NVDIMM控制器，专为现代数据中心和计算设备设计。它是一款12位宽的位1:2或2:1 DDR2/DDR3/DDR4开关，支持高带宽数据传输，能够达到5.6GHz的单端典型值和6.0GHz的差分典型值，这使得它适用于企业级数据系统、服务器以及笔记本和台式机等应用场景中的高密度内存解决方案。 TS3DDR4000的主要特点包括： 1. 宽广的供电范围：支持从2.375V到3.6V的电压，确保了兼容性和稳定性，特别适合那些需要在不同电源条件下工作的设备。 2. 高速性能：通过低开关导通电阻（RON）达到8Ω的典型值，以及低位间偏差（典型值3ps，最大值6ps），保证了数据传输的快速和精确。 3. 抗干扰能力：具有出色的串扰抑制性能，在1067MHz下典型值为–34dB，确保了在密集环境中信号的清晰。 4. 节能特性：内置低功耗模式，工作电流低至40μA（典型值），在睡眠状态下电流消耗仅为2μA（典型值），有助于降低整体系统能耗。 5. 保护功能：具备IOFF保护，防止在断电状态（VCC=0V）下发生电流泄漏，确保了设备的安全。 6. 多种信号支持：支持多种信号标准，如POD_12、SSTL_12、SSTL_15和SSTL_18，增强了灵活性和兼容性。 7. ESD防护：TS3DDR4000具有良好的静电放电保护，满足人体放电模式（A114B，II类）和组件充电模式（C101）的要求，有效防止外部电荷冲击。 8. 封装规格：紧凑的8mmx3mm封装，带有48个焊球和0.65mm间距的ZBA封装，适应空间有限的应用环境。 这款控制器广泛应用于NVDIMM模块中，提供对新型内存技术的支持，如非易失性双列直插内存模块（NVDIMM），以实现更高效的数据存储和处理。它在企业级数据中心中扮演着关键角色，通过简化信号切换和管理，提升了系统的稳定性和可靠性。对于任何寻求在高要求环境中使用高速内存控制的工程师和设计师来说，TS3DDR4000是一个值得考虑的重要组件。在实际设计过程中，务必查阅最新的英文数据手册SCDS356以获取最准确和详尽的技术信息。