英飞凌IPDD60R102G7 CoolMOS™ G7 功率晶体管中文规格书

"IPDD60R102G7 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册" 本文将详细介绍英飞凌科技公司生产的IPDD60R102G7 MOSFET芯片，它是一款600V CoolMOS™ G7 Power Transistor，特别适用于高电流拓扑结构，如功率因数校正（PFC）系统，最高可达3kW。这款芯片结合了C7 GOLD CoolMOS™技术、4引脚 Kelvin Source 功能和DDPAK封装的优越热性能，提供了一种可能的表面贴装解决方案。 **主要特点** 1. **C7 GOLD 技术**：提供业界领先的RDS(on)*Eoss和RDS(on)*Qg指标，确保高效能与低损耗。 2. **适应多种开关方式**：适合硬开关和软开关应用，如PFC和高性能LLC谐振转换器。 3. **最小封装尺寸**：C7 GOLD技术实现了最佳的RDS(on)，在最小的封装面积内提供出色性能。 4. **DDPAK封装**：内置4引脚Kelvin Source配置，降低了寄生源电感（约3nH），提高控制精度。 5. **可靠性与兼容性**：符合MSL1标准，全无铅设计，易于目视检查引脚，并根据JEDEC 47/20/22标准对工业应用进行了资格认证。 6. **SMD封装优势**：与无铅焊料配合使用，适合自动化生产和SMT工艺。 **技术规格** IPDD60R102G7的引脚布局为PG-HDSOP-10-1，其中： - Pin1：栅极（Gate） - Pin2：驱动源（Driver Source） - Pin3,4,5：电源源（Power Source） - Pin6-10：漏极（Drain） 该芯片设计用于高压、大电流的应用场景，其低RDS(on)和低Qg特性显著减少了传导和开关损耗，从而提高了整体系统的效率。此外，DDPAK封装的低寄生源电感有助于减少开关过程中的电磁干扰，增强了系统稳定性。 IPDD60R102G7是一款集先进工艺和优化封装于一体的高性能功率MOSFET，专为要求严苛的电力电子应用而设计，特别是在高功率密度和高效率方面具有显著优势。对于那些需要处理高电流并注重能效和可靠性的电源设计工程师来说，这款英飞凌芯片是一个理想的解决方案。