英飞凌OptiMOSTM6 40V MOSFET芯片技术规格

"IST006N04NM6 INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片" 本文档是关于INFINEON英飞凌生产的IST006N04NM6 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的详细数据手册。这款MOSFET是OptiMOSTM6系列的功率晶体管，专为低电压电机驱动和电池电源应用进行了优化设计。 主要特点包括： 1. 极低的导通电阻（RDS(on)），最大值为0.6毫欧，这使得在高电流工作时能保持极小的电压降，从而提高效率。 2. 通过100%雪崩测试，确保了在过压条件下的稳定性与安全操作。 3. 优越的热性能，能够有效地处理产生的热量，提高长期工作的可靠性。 4. N沟道设计，适合于需要正向电压控制的应用。 5. 符合RoHS标准的无铅电镀，符合环保要求。 6. 按照IEC61249-2-21标准，不含卤素，符合环保要求。 7. 耐高温设计，额定工作温度高达175°C，适应各种严苛环境。 技术参数方面： - 最大漏源电压（VDS）为40伏特。 - 最大连续 Drain 电流（ID）为475安培，表明该器件可以处理极大的电流。 - 门极至漏极关闭时的总电荷（Qoss）为137纳库仑，这是衡量开关速度和开关损耗的一个指标。 - 门极电荷（QG）从0V到10V的变化为127纳库仑，表示开启和关闭晶体管所需的电荷量。 产品验证按照JEDEC标准，适用于工业应用，确保了广泛的工作条件下的可靠性。 包装信息中，IST006N04NM6采用sTOLL封装，标记为6N04N6。相关的链接提供了更多的技术信息和支持。 内容涵盖描述、最大额定值、热特性、电气特性以及电气特性图表等，全面解析了该MOSFET的各项性能参数，为设计工程师提供选用和应用此器件的重要参考依据。