RAM与ROM扩展：位宽与容量提升详解

本篇文档主要讨论了半导体存储器中的ROM（只读存储器）容量的扩展方法，特别是针对位扩展的实现。原有的EPROM（可编程只读存储器）如2764通常提供8位输出。为了提升存储容量至8k×16位，需要通过组合两片2764来实现。在这个过程中，关键步骤包括： 1. 字长扩展：现有的EPROM通过位扩展技术，将单片8位的存储能力扩展到更高位数，例如从8位提升到16位。 2. 连线图示：文档中提供了一张具体的连线图，展示了如何通过并联和连接地址线来管理和控制两个2764，使得它们能够协同工作，提供整体的8k×16位存储空间。 3. 存储器类型与分类：文章首先介绍了半导体存储器的基本概念，区分了RAM（随机存取存储器）和ROM，前者可以读写，后者只能读取，强调了RAM的非易失性特点。 4. RAM的构成：RAM由存储矩阵、地址译码器、读写控制器、输入/输出控制以及片选控制等多个组件构成。存储矩阵由多个存储单元排列成网格，地址译码器负责将二进制地址转换为选中特定单元的信号。 5. 具体实例：文中提到的六管NMOS静态存储单元是RAM中的一个典型设计，其工作原理涉及到片选信号、读写信号的控制，确保在选中存储器时进行正确的读写操作。 本文详细探讨了如何通过硬件层面的技术手段扩展ROM的容量，并结合具体电路设计解释了这一过程。这对于理解和应用半导体存储器技术，尤其是RAM和ROM的区别和扩展策略，具有重要的参考价值。