NM29N16: 16MBit CMOS NAND FLASH Memory

"NSC-NM29N16.pdf 是一份关于NM29N16 16MBit(2Mx8Bit) CMOS NAND FLASH E2PROM的资料，详细介绍了该芯片的特性、组织结构以及操作方法。" NM29N16是一款16兆位（2MB）的CMOS NAND型闪存设备，它以2M x 8位的结构组织，总计512个块，每个块包含16页。每一页可以存储264字节的数据。与数据交互是通过8个输入/输出引脚完成的。读取数据时，首先将页面从阵列传输到片上缓冲区，然后通过连续的读脉冲（RE低电平）读出连续的字节数据。 该设备的擦除操作有两种方式：单个块（4KB）擦除或同时擦除多个块。编程设备需要向片上缓冲区发送地址和数据信息，然后执行编程命令。典型的264字节编程时间为400毫秒。所有的擦除和编程操作都是由内部定时器控制的，确保了操作的准确性和可靠性。 NM29N16设计了一系列适合便携式应用的特点，这些特点使其成为高密度存储的理想选择。其中包括单一5V电源操作，这意味着它可以在标准5伏电压下工作，无需额外的电压转换电路。此外，它具有高读/写耐久性，可以承受25万次的读写循环，这在频繁读写操作的设备中非常重要。低电流操作也是其优点之一，读取时电流仅为15毫安，这有助于降低设备的功耗，延长便携设备的电池寿命。该芯片采用TSOP Type II封装，这种封装形式符合行业标准，便于集成到各种电子产品设计中。 NM29N16是一款适用于需要大容量存储且对电源效率和耐用性有较高要求的便携式设备的闪存解决方案。它的高效能和可靠的操作机制，以及针对移动应用优化的特性，使其成为各种嵌入式系统和移动设备的理想选择。