2306GN-HF-VB: 20V N-Channel SOT23 MOSFET with Low RDS(on) and Ro...

2306GN-HF-VB是一款由VBSEMI公司生产的高性能N-Channel场效应MOS管，采用SOT23封装。这款器件专为工业级应用设计，具备低栅极到源极电压（VGS）下的高开关性能，包括在4.5V时的RDS(ON)值仅为24毫欧姆（mΩ），以及在不同工作条件下如8.8V VGS下的典型门极电荷Qg值。它的主要特点是： 1. **环保设计**：符合IEC 61249-2-21标准，不含卤素，满足RoHS指令2002/95/EC的要求。 2. **Trench FET技术**：利用沟槽型MOSFET结构，提供高效的功率管理和散热性能。 3. **可靠性测试**：100%栅极电阻（Rg）测试，确保了器件的长期稳定性和可靠性。 4. **应用范围广泛**：适用于直流-直流转换器（DC/DC Converters）以及便携式设备中的负载开关等应用。 产品特性参数包括： - **最大集电极-源极电压（VDS）**：20V，保证了对高压环境的适应性。 - **持续集电极电流（ID）**：在不同温度下有不同的限制，如在70°C下，连续集电极电流可达6A（IDC_a）。 - **脉冲集电极电流（IDM）**：在25°C时，可以承受高达20A的峰值电流。 - **源极-集电极反向漏电流（CIS）**：在25°C下，典型值为1.75A，确保电源效率。 - **最大功率耗散（PD）**：在70°C时，最大允许功率为2.1W，确保了安全的工作温度范围。 需要注意的是，该器件在某些条件下有包装限制，如1"x1" FR4板上表面安装，且在5秒（t=5s）的脉冲条件下操作。此外，对于最大功率消耗和结温，建议在不同温度下操作，以避免过热。 2306GN-HF-VB是一款适合高效率、紧凑型电路设计的N-Channel MOSFET，适用于对低导通电阻和可靠性的要求较高的应用场景。用户在选择和使用时，应参考其规格表中的极限条件，确保合理散热和防止过载。