英飞凌IPA057N08N3G OptiMOS™3 MOSFET技术规格书

"IPA057N08N3 G 是英飞凌科技公司生产的一款OptiMOS™3系列的N沟道功率MOSFET，适用于高频率切换和同步整流，尤其优化了在DC/DC转换器中的性能。这款芯片具有优秀的门极电荷与漏源导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM），提供100%雪崩测试保证，并符合无铅、RoHS和无卤素标准。根据JEDEC标准进行资格认证，适用于特定目标应用。此外，该封装完全隔离，可承受2500VAC的电压一分钟。" 详细说明： 1. **产品类型**：IPA057N08N3 G是一款N沟道MOSFET，属于OptiMOS™3系列，这是一种金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。 2. **应用领域**：这款芯片设计用于高频开关和同步整流电路，特别适合在DC/DC转换器中使用，能提供高效的电力转换。 3. **性能特点**：具有优异的FOM，即门极电荷与漏源导通电阻的乘积，这表示在开关操作时能实现更低的开关损耗，从而提高效率。 4. **可靠性**：100%通过了雪崩测试，确保了芯片在过载条件下的安全性和稳定性。 5. **环保标准**：符合RoHS指令，不含铅，且符合IEC61249-2-21的无卤素规定，对环境友好。 6. **工作条件**：最大连续漏极电流ID在25°C时为60A，100°C时降至43A；脉冲漏极电流ID,pulse在25°C时可达240A。 7. **能量耐受**：单脉冲雪崩能量EAS在ID=60A和RGS=25W时为290mJ，表明其具有良好的浪涌承受能力。 8. **栅源电压**：VGS的最大值为±20V，确保了芯片在允许范围内正常工作。 9. **总功率耗散**：在25°C下，总功率耗散Ptot为39W，限制了芯片的热负荷。 10. **温度范围**：操作和存储温度范围从-55°C到175°C，符合IEC68-1的55/175/56气候类别，表明其能在宽温环境下稳定工作。 11. **封装特性**：完全隔离的封装设计，可承受2500VAC的电压一分钟，提高了系统的电气安全性。 IPA057N08N3 G是一款高性能、可靠且环保的N沟道MOSFET，广泛适用于需要高效、低损耗电源管理的电子设备中。其详细规格书提供了更多关于热特性、开关特性和应用建议的信息，对于设计者来说是选择和使用这款芯片的重要参考。