高性能N沟道SOT23封装场效应管SI2308BDS-T1-GE3-VB特性与应用
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更新于2024-08-03
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SI2308BDS-T1-GE3-VB是一款高性能的N沟道SOT23封装场效应晶体管,由先进的Trench FET技术制造,专为高效能应用设计。这款MOSFET具有以下关键特性:
1. **环保认证**:符合IEC 61249-2-21标准,不含卤素,对环境友好。
2. **高耐压与低导通电阻**:在VDS = 60V的条件下,典型值下漏极到源极的阻抗(RDS(on))为0.075Ω,当VGS为10V时。随着工作电压降低(如VGS=4.5V),RDS(on)增加到0.086Ω。
3. **卓越的开关性能**:内置电荷储存能力Qg在25°C时约为2.1nC,且进行了严格的100% Rg和UISTest验证,确保了稳定和可靠的性能。
4. **应用广泛**:适用于电池管理中的开关功能以及直流/直流转换器等应用。
5. **产品规格**:
- 静态电流(DC):在25°C下,最大连续电流ID为4.0A;在70°C时降为3.4A。
- 脉冲电流(Pulsed Drain Current, IDM):12A,确保短时间内的峰值电流处理能力。
- 源极到漏极的反向电流(Continuous Source-Drain Diode Current, IS):在25°C下,典型值为1.39A,随温度升高而降低。
- 单脉冲雪崩电流(Avalanche Current, IAS):在0.1mH电感下的极限值为6A。
- 单次脉冲雪崩能量(Single-Pulse Avalanche Energy, EAS):1.8mJ,确保设备在过载条件下的安全性。
6. **功率管理和散热**:最大功率耗散在25°C下可达1.66W,但建议在不同温度下运行时保持较低的功率水平以防止过热。
7. **温度范围**:工作结温范围(TJ)为-55℃至150℃,存储温度范围(Tstg)相同,确保器件在宽温环境下稳定工作。
8. **热阻抗**:参数如PD、TA和Tj/Tstg之间的热阻提供散热指导,有助于设计有效的散热方案。
这款SI2308BDS-T1-GE3-VB场效应管凭借其出色的性能和可靠性,是电子系统中实现高效、紧凑电路的理想选择,尤其适合那些对电源管理要求严格的应用。在实际设计中,需确保遵循制造商提供的参数限制和使用指南,以充分发挥其潜力并确保系统安全。
2023-09-21 上传
2024-01-02 上传
2023-11-20 上传
2024-05-30 上传
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