芴基新型聚酰亚胺合成与阻变电存储特性研究

本文主要探讨了含芴结构新型聚酰亚胺的合成及其在阻变电存储领域的应用。作者瞿伦君、郑焱仁等人，来自中山大学化学学院的多个研究中心，他们聚焦于设计并合成了一种独特的二胺单体——以四苯基-9H-芴为核的TPF27DA和TPF99DA。这两种新型化合物的选择是基于芴结构的独特性质，芴是一种常用的有机发光材料，其光电性能优良。 通过与4,4'-氧双邻苯二甲酸酐(ODPA)进行聚合反应，研究人员成功制备出两种含芴结构的聚酰亚胺薄膜，即TPF27OPI和TPF99OPI。这些聚酰亚胺材料具有优异的化学稳定性、热稳定性和光学透明性，这些都是构建高性能电子元件的重要属性。 文章的核心部分着重研究了这些聚酰亚胺薄膜在阻变电存储器件中的应用。研究者利用TPF27OPI和TPF99OPI分别制备了两种阻变电存储器件：一种是非易失性Write Once Read Many (WORM)存储机制的ITO/TPF27OPI/Al结构，意味着信息可以被写入一次后，读取多次且不易丢失；另一种是易失性Static Random Access Memory (SRAM)存储机制的ITO/TPF99OPI/Al结构，数据会因电源断开而丢失，但可以实现快速读写。 在实验中，这些器件展示了良好的稳定性、高重复性和较高的开关比，这对于电子存储技术的发展具有重要意义。这些研究成果不仅提升了聚酰亚胺材料的功能性，也为未来的非易失性和易失性存储设备的设计提供了新的可能性。 这篇首发论文深入探讨了含芴结构聚酰亚胺的合成方法以及其在阻变电存储领域的实际应用，为高性能电子器件和光电器件的研发提供了有价值的科学基础。同时，它也强调了新材料设计与传统聚合物工程相结合的重要性，为相关领域的研究者提供了宝贵的参考和启示。